இந்தக்கட்டுரையின் தலைப்பு: இணைத்திண்டம் மற்றும் கேபசிடனின் தரம் காரணி

இந்தக்கட்டி வெப்பவியல் காரணியின் தரம்

ஒவ்வொரு இந்தக்கட்டி அதன் இந்தக்கட்டி திறனைத் தவிர ஒரு சிறிய எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பும் கொண்டிருக்கும். இந்த எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பின் மதிப்பு அதிகமாக இருந்தால், இந்தக்கட்டியின் தரம் குறைவாக இருக்கும். தரம் காரணி அல்லது இந்தக்கட்டியின் Q காரணி செயல்பாட்டு அலைத்திசைவு ω இல் இந்தக்கட்டியின் எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு மற்றும் அதன் எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு R இன் விகிதமாக வரையறுக்கப்படுகிறது.

எனவே, இந்தக்கட்டிக்கு, தரம் காரணி பின்வருமாறு வெளிப்படுத்தப்படுகிறது,

இங்கு, L இந்தக்கட்டியின் செயல்பாட்டு இந்தக்கட்டி திறன் (Henry) மற்றும் R இந்தக்கட்டியின் செயல்பாட்டு எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு (Ohms). எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு மற்றும் எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பின் அலகு Ohm ஆகும், Q ஒரு அலகில்லாத விகிதமாகும்.

Q காரணியை பின்வருமாறு வரையறுக்கலாம்

இதை நிறுவுவோம். அதற்கு ஒரு சைனஸாய்டல் வோல்டேஜ் V இன் அலைத்திசைவு ω radians/seconds ஐ ஒரு இந்தக்கட்டி L இக்கு செயல்படுத்துவோம். இந்த இந்தக்கட்டியின் செயல்பாட்டு உள்ளே ஒரு சிறிய எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு R இருக்கும். இந்த இந்தக்கட்டியின் முன்னிருப்பு பெரும வோல்டேஜ் Im.
இந்த இந்தக்கட்டியில் மூலம் செயல்படுத்தப்படும் அதிகாரமான சக்தி


படம் 1. RL மற்றும் RC சுற்றுகள் சைனஸாய்டல் வோல்டேஜ் அறிக்கைகளுக்கு இணைக்கப்பட்டுள்ளன
இந்தக்கட்டியில் ஒவ்வொரு சுழற்சியிலும் சராசரி அதிகாரமான சக்தி
எனவே, இந்தக்கட்டியில் ஒவ்வொரு சுழற்சியிலும் சராசரி அதிகாரமான சக்தி

எனவே,

கேப்பசிட்டரின் தரம் காரணி

படம் 1(b). ஒரு கேப்பசிட்டர் C மற்றும் அதனுடன் ஒரு சிறிய தொடர்ச்சி எதிர்ப்பு R இருக்கும். Q-காரணி அல்லது கேப்பசிட்டரின் தரம் காரணி செயல்பாட்டு அலைத்திசைவு ω இல் கேப்பசிட்டரின் எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு மற்றும் அதன் தொடர்ச்சி எதிர்ப்பு R இன் விகிதமாக வரையறுக்கப்படுகிறது.
எனவே,
இந்த வழியிலும், Q ஒரு அலகில்லாத அளவு ஏனெனில் எதிர்க்கோட்டு எதிர்ப்பு மற்றும் எதிர்ப்பு இவற்றின் அலகு ஒரே சமமாக இருக்கும், அது Ohm. சமன்பாடு (2) Q இன் ஒரு மாற்று வரையறையை வழங்குகிறது. எனவே, படம் 1(b) இல், ஒரு சைனஸாய்டல் வோல்டேஜ் V வோல்ட்ஸ் மற்றும் அலைத்திசைவு ω இல் செயல்படுத்தப்படும்போது, கேப்பசிட்டரில் சேமிக்கப்பட்ட அதிகாரமான சக்தி.

இங்கு, Vm கேப்பசிட்டர் C இல் முன்னிருப்பு பெரும வோல்டேஜ் மதிப்பு. ஆனால், இது

எனவே
இங்கு, Im C மற்றும் R இல் செயல்படுத்தப்படும் முன்னிருப்பு பெரும வோல்டேஜ் மதிப்பு. எனவே, கேப்பசிட்டர் C இல் சேமிக்கப்பட்ட அதிகாரமான சக்தி
ஒவ்வொரு சுழற்சியிலும் சராசரி அதிகாரமான சக்தி

எனவே, கேப்பசிட்டரின் தரம் காரணி

அதிகமாக இழப்பு கொண்ட கேப்பசிட்டர் போதும் அதிக எதிர்ப்பு Rp தொடர்ச்சியில் கேப்பசிட்டர் C இடம்பெறும். படம் 2 இல் கேப்பசிட்டரின் முன்னிருப்பு பெரும வோல்