শ্রেণীবদ্ধ এবং সমান্তরালভাবে কনডেনসার

পার্শ্বগত ক্যাপাসিটর

আসুন n সংখ্যক ক্যাপাসিটর পার্শ্বগতভাবে সংযুক্ত করি। V ভোল্ট এই পার্শ্বগত সংযোজনের উপর প্রয়োগ করা হয়।

ধরা যাক ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা C1, C2, C3…….Cn যথাক্রমে, এবং ক্যাপাসিটরের পার্শ্বগত সংযোজনের সমতুল্য ক্ষমতা C। এই ভোল্টেজ পতন ক্যাপাসিটরের উপর V1, V2, V3…….Vn যথাক্রমে বিবেচনা করা হয়।

এখন, যদি Q কুলম্ব চার্জ উৎস থেকে এই ক্যাপাসিটরগুলির মাধ্যমে স্থানান্তরিত হয়, তবে,

প্রতিটি ক্যাপাসিটর এবং পুরো পার্শ্বগত সংযোজনে সঞ্চিত চার্জ একই হবে এবং এটি Q হিসেবে বিবেচিত হবে।
এখন, সমীকরণ (i) এভাবে লেখা যায়,

সমান্তরাল ক্যাপাসিটর

একটি ক্যাপাসিটর তার তড়িৎক্ষেত্রের আকারে শক্তি সঞ্চয় করতে ডিজাইন করা হয়, অর্থাৎ তড়িচ্চুম্বকীয় শক্তি। যখন বেশি তড়িচ্চুম্বকীয় শক্তি সঞ্চয়ের প্রয়োজন হয়, তখন বৃহত্তর ক্ষমতার একটি উপযুক্ত ক্যাপাসিটর প্রয়োজন। একটি ক্যাপাসিটর দুইটি ধাতব প্লেট দিয়ে গঠিত যা সমান্তরালভাবে সংযুক্ত এবং গ্লাস, মাইকা, সিরামিক ইত্যাদি মাধ্যম দিয়ে পৃথক করা হয়। মাধ্যমটি প্লেটগুলির মধ্যে একটি অপরিবাহী মাধ্যম প্রদান করে এবং চার্জ ধারণের একটি অনন্য ক্ষমতা রাখে, এবং ক্যাপাসিটরের চার্জ সঞ্চয়ের ক্ষমতা ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয়। যখন একটি ভোল্টেজ উৎস ক্যাপাসিটরের প্লেটগুলির উপর সংযুক্ত করা হয়, একটি প্লেটে ধনাত্মক চার্জ এবং অন্য প্লেটে ঋণাত্মক চার্জ জমা হয়। সম্পূর্ণ চার্জ (q) সঞ্চিত হয় এবং ভোল্টেজ উৎস (V) এর সাথে সরাসরি সমানুপাতিক হয় যেমন,

যেখানে, C হল সমানুপাতিক ধ্রুবক অর্থাৎ ক্ষমতা। এর মান ক্যাপাসিটরের পদার্থিক মাত্রার উপর নির্ভর করে।

যেখানে ε = মাধ্যমের ধ্রুবক, A = প্লেটের কার্যকর ক্ষেত্রফল এবং d = প্লেটগুলির মধ্যে দূরত্ব।

একটি ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা বৃদ্ধি করার জন্য, দুই বা ততোধিক ক্যাপাসিটর সমান্তরালভাবে সংযুক্ত করা হয় যেমন দুইটি একই প্লেট যুক্ত হয়, তাদের কার্যকর ওভারল্যাপিং ক্ষেত্রফল সমান দূরত্বে যুক্ত হয় এবং ফলে তাদের সমতুল্য ক্ষমতা দ্বিগুণ (C ∝ A) হয়। ক্যাপাসিটর ব্যাঙ্ক বিভিন্ন প্রক্রিয়া শিল্পে ব্যবহৃত হয় এবং ক্যাপাসিটর সমান্তরালভাবে সংযুক্ত করা হয় যাতে প্রয়োজনীয় ক্ষমতার সাথে সামঞ্জস্য রাখা যায় এবং এটি পাওয়ার সিস্টেম কমপেনসেশনে স্থির কম্পেনসেটর হিসাবে দক্ষভাবে ব্যবহৃত হয়। যখন দুইটি ক্যাপাসিটর সমান্তরালভাবে সংযুক্ত হয়, তখন প্রতিটি ক্যাপাসিটরের উপর ভোল্টেজ (V) একই হয় অর্থাৎ (Veq = Va = Vb) এবং বিদ্যুৎ (ieq) দুই ভাগে ia এবং ib হয়। যেহেতু জানা আছে যে
উপরোক্ত সমীকরণে (1) নং সমীকরণ থেকে q এর মান বসানো হলে,

পরবর্তী পদ শূন্য হয় (কারণ ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা ধ্রুবক)। সুতরাং,

সমান্তরাল সংযোগের প্রবেশদ্বারে কির্চহফের বিদ্যুৎ সূত্র প্রয়োগ করা হয়


শেষ পর্যন্ত আমরা পাই,