சேரிங் பாலம் அளவைக்கு என்ற முறையில் கேபாசிட்டான்சியத்தை அளவிடுதல்

செரிங் பிரிட்ஜ் தோற்றம்

இந்த பிரிட்ஜ், கேபாசிட்டரின் கேபாசிட்டன்சை, விண்மீனக் காரணியை மற்றும் சார்பிய விரிவாக்கத்தை அளவீடு செய்யத் தேவைப்படுகிறது. கீழே காட்டப்பட்டுள்ள செரிங் பிரிட்ஜ் வடிவமைப்பை எடுத்துக்கொள்வோம்:
இங்கு, c1 என்பது அதிலிருந்த மதிப்பைக் கண்டறிய வேண்டிய தெரியாத கேபாசிட்டன்சியாகும், அதனுடன் தொடர்ச்சியான வினை எதிர்த்து இருக்கும் r1.

c2 ஒரு தரவு கேபாசிட்டர்.
c4 ஒரு மாற்றக்கூடிய கேபாசிட்டர்.
r3 ஒரு சுதந்திர வினை எதிர்த்து (அதாவது உலுக்கின்ற நிலையில்லை).
மற்றும் r4 ஒரு மாற்றக்கூடிய, உலுக்கின்ற நிலையில்லாத வினை எதிர்த்து c4 கேபாசிட்டருடன் இணையாக இணைக்கப்பட்டுள்ளது. இப்போது அலுவலகம் புள்ளிகள் a மற்றும் c இடையே தரப்படுகிறது. தயாரிக்கும் சாதனம் b மற்றும் d இடையே இணைக்கப்படுகிறது. ac பிரிட்ஜின் தோற்றத்திலிருந்து, நிலைச்சீர் நிலையில்,

z1, z2, z3 மற்றும் z4 இன் மதிப்புகளை மேலே உள்ள சமன்பாட்டில் பதிலிட்டால், நாம் பெறுவோம்

வாதிகளை சமானமாக்கி பிரித்தால், நாம் பெறுவோம்,

மேலே உள்ள செரிங் பிரிட்ஜ் வடிவமைப்பின் பேஸர் வரைபடத்தை எடுத்துக்கொள்வோம், ab,bc,cd மற்றும் ad இடையே உள்ள வோல்ட்டேஜ் விளைவுகளை e1, e3,e4 மற்றும் e2 எனக் குறிக்கலாம். மேலே உள்ள செரிங் பிரிட்ஜ் பேஸர் வரைபடத்திலிருந்து, நாம் tanδ ன் மதிப்பைக் கணக்கிடலாம், இது விண்மீனக் காரணியாகவும் அழைக்கப்படுகிறது.

நாம் மேலே வரைந்த சமன்பாடு மிகவும் எளியது மற்றும் விண்மீனக் காரணியை எளிதாகக் கணக்கிடலாம். இப்போது நாம் உயர் வோல்ட்டேஜ் செரிங் பிரிட்ஜை விரிவாக பேசுவோம். நாம் எளிய செரிங் பிரிட்ஜ் (இது குறைந்த வோல்ட்டேஜ் பயன்படுத்தும்) விண்மீனக் காரணியை, கேபாசிட்டன்சை மற்றும் தேக்குமான பொருள்களின் ஏனைய பண்புகளை அளவீடு செய்யத் தேவைப்படுகிறது. உயர் வோல்ட்டேஜ் செரிங் பிரிட்ஜ் எதற்கு தேவை? இந்த கேள்விக்கு விடை மிகவும் எளிதானது, சிறிய கேபாசிட்டன்சியை அளவீடு செய்ய நாம் உயர் வோல்ட்டேஜ் மற்றும் உயர் அதிர்வெண்ணை கொடுக்க வேண்டும், இது குறைந்த வோல்ட்டேஜின் போது அதிக குறைப்பாக இருக்கும். இப்போது இந்த உயர் வோல்ட்டேஜ் செரிங் பிரிட்ஜின் விரிவான பண்புகளை பேசலாம்:

1. ab மற்றும் ad பிரிட்ஜ் கைகள் மட்டுமே கேபாசிட்டர்களை கொண்டுள்ளன, இந்த பிரிட்ஜ் கைகளின் இம்பீடன்சு மதிப்பு bc மற்றும் cd இன் இம்பீடன்சு மதிப்புகளை விட மிகவும் அதிகமாக இருக்கும். bc மற்றும் cd கைகள் வினை எதிர்த்து r3 மற்றும் கேபாசிட்டர் c4 மற்றும் வினை எதிர்த்து r4 இணை இணைப்பு உள்ளது. bc மற்றும் cd இன் இம்பீடன்சு மதிப்புகள் மிகவும் குறைவாக இருப்பதால், இவற்றின் வோல்ட்டேஜ் விளைவு குறைவாக இருக்கும். புள்ளி c மேற்கோட்டில் இருப்பதால், bc மற்றும் dc இடையே வோல்ட்டேஜ் புள்ளி c இல் சில வோல்ட்ட்கள் மேலே இருக்கும்.

2. உயர் வோல்ட்டேஜ் நிலையான திரியானிலிருந்து 50 Hz மற்றும் இந்த பிரிட்ஜின் தயாரிக்கும் சாதனம் ஒரு விபத்து ஗ல்வானோமீட்டர் ஆகும்.

3. ab மற்றும் ad கைகளின் இம்பீடன்சு மதிப்புகள் மிகவும் அதிகமாக இருப்பதால், இந்த வடிவமைப்பு குறைவான வினையை உருவாக்கும், எனவே வினை இழப்பு குறைவாக இருக்கும், ஆனால் இந்த குறைவான வினை வை விட்டு செல்ல மிகவும் தூரமான தயாரிக்கும் சாதனம் தேவைப்படுகிறது.

4. தரவு கேபாசிட்டர் c2 குறுகிய வாயு மிக்க விரிவாக இருக்கும், இது விதையாக வேலை செய்கிறது, எனவே குறுகிய வாயு விண்மீனக் காரணியை சுழியாகக் கொள்ளலாம். உயர் மற்றும் குறைவான பிரிட்ஜ் கைகளின் இடையே நிலையான விதைகள் இடப்படுகின்றன, இது இடைவெளியில் உள்ள கேபாசிட்டர் விளைவுகள் உருவாக்கும் பிழை