• Product
  • Suppliers
  • Manufacturers
  • Solutions
  • Free tools
  • Knowledges
  • Experts
  • Communities
Search


با توجه به پیکربندی طول و چگالی جریان، چگونه می‌توان قدرت میدان مغناطیسی را محاسبه کرد؟

Encyclopedia
فیلد: دانشنامه
0
China

برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی (Magnetic Field Strength,
H) بر اساس طول و چگالی شار مغناطیسی (Magnetic Flux Density,
B)، لازم است رابطه بین این دو کمیت را درک کنید. قدرت میدان مغناطیسی
H و چگالی شار مغناطیسی
B معمولاً از طریق منحنی مغناطیس‌شدن (B-H curve) یا نفوذپذیری (
μ) مرتبط هستند.

۱. فرمول پایه

  • رابطه بین قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H و چگالی شار مغناطیسی  
     
    B می‌تواند با فرمول زیر بیان شود:

745a55b5f68e6679c375734b8e513de0.jpeg

  • که در آن:

    • B چگالی شار مغناطیسی است که به تسلا (T) اندازه‌گیری می‌شود.


    •  
      H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازه‌گیری می‌شود.


    •  
      μ نفوذپذیری است که به هنری بر متر (H/m) اندازه‌گیری می‌شود.

  • نفوذپذیری  
     
    μ می‌تواند به صورت حاصلضرب نفوذپذیری فضای خالی  
     
    μ0 و نفوذپذیری نسبی  
     
    μr بیان شود:

eb82fc99e4bc69614f6ecfdfd439d66d.jpeg

  • که در آن:

    • μ0 نفوذپذیری فضای خالی است، تقریباً 
       
      4π×10−7H/m.

    • μr نفوذپذیری نسبی ماده است که برای مواد غیرمغناطیسی (مانند هوا، مس، آلومینیوم) تقریباً ۱ است و برای مواد مغناطیسی (مانند آهن، نیکل) می‌تواند بسیار بالا (صدها تا هزارها) باشد.

۲. محاسبه قدرت میدان مغناطیسی 
H با توجه به 
B و 
μ

اگر چگالی شار مغناطیسی
B و نفوذپذیری
μ را داشته باشید، می‌توانید مستقیماً از فرمول فوق برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی
H استفاده کنید:

8f9b0cbc67726fe478aa7b1c89b1649c.jpeg

به عنوان مثال، فرض کنید یک ترانسفورماتور با هسته آهنی با چگالی شار مغناطیسی B=1.5T و نفوذپذیری نسبی μr=1000 دارید. سپس:

7d2393f3abc7e4cf6042ab6b8ca875be.jpeg

۳. در نظر گرفتن منحنی‌های مغناطیس‌شدن غیرخطی

برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری
μ ثابت نیست بلکه با تغییر قدرت میدان مغناطیسی H متفاوت می‌شود. در عمل، به ویژه در میدان‌های قوی، نفوذپذیری ممکن است به طور قابل توجهی کاهش یابد که منجر به رشد کندتر چگالی شار مغناطیسی
B می‌شود. این رابطه غیرخطی توسط منحنی B-H ماده توصیف می‌شود.

  • منحنی B-H: منحنی B-H نشان می‌دهد که چگالی شار مغناطیسی  
     
    B چگونه با تغییر قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H تغییر می‌کند. برای مواد مغناطیسی، منحنی B-H معمولاً غیرخطی است، به ویژه وقتی به نقطه اشباع نزدیک می‌شود. اگر منحنی B-H ماده خود را داشته باشید، می‌توانید قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H را با یافتن مقدار متناظر  
     
    H برای یک B داده شده تعیین کنید.

  • استفاده از منحنی B-H:

    1. چگالی شار مغناطیسی داده شده 
       
      B را روی منحنی B-H پیدا کنید.

    2. قدر ت میدان مغناطیسی H را از روی منحنی بخوانید.

۴. در نظر گرفتن طول مدار مغناطیسی

اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی (مانند طول
l هسته) داشته باشید، می‌توانید از قانون مدار مغناطیسی (مانند قانون اهم در مدارهای الکتریکی) برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی استفاده کنید. قانون مدار مغناطیسی می‌تواند به صورت زیر بیان شود:

2bc7cc1312a22f792dc2c6ffb45973e8.jpeg

که در آن:


  •  
    F نیروی مغناطیسی (MMF) است که به آمپر دور (A-turns) اندازه‌گیری می‌شود.


  •  
    H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازه‌گیری می‌شود.


  •  
    l طول متوسط مدار مغناطیسی است که به متر (m) اندازه‌گیری می‌شود.

نیروی مغناطیسی
F معمولاً با جریان
I و تعداد دورهای
N در سیم پیچ تعیین می‌شود:

86fe3eb5eedfc0829db5bd514f7adf88.jpeg

با ترکیب این دو معادله، به فرمول زیر می‌رسید:

5d05bd47bf0f2ecbc25bb2805989c82f.jpeg

این فرمول زمانی مفید است که طول مدار مغناطیسی
l و پارامترهای سیم پیچ (تعداد دور N و جریان
I) را داشته باشید.

۵. خلاصه مراحل

  1. تعیین چگالی شار مغناطیسی   
     
    B: از چگالی شار مغناطیسی داده شده   
     
    B استفاده کنید.

  2. انتخاب نفوذپذیری مناسب   
     
    μ: برای مواد خطی (مانند هوا یا مواد غیرمغناطیسی)، از نفوذپذیری فضای خالی   
     
    μ0 استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری نسبی μr را در نظر بگیرید یا از منحنی B-H استفاده کنید.

  3. محاسبه قدرت میدان مغناطیسی H: از فرمول H=μB استفاده کنید یا مقدار متناظر   
     
    H را از منحنی B-H بخوانید.

  4. در نظر گرفتن طول مدار مغناطیسی (در صورت لزوم): اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی H=lN⋅I برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.

نتیجه‌گیری

برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی با توجه به طول و چگالی شار مغناطیسی، ابتدا نفوذپذیری
μ را تعیین کنید، سپس از فرمول
H=μB استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، توصیه می‌شود از منحنی B-H برای مدیریت رابطه غیرخطی استفاده کنید. اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی
H=lF برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.


هدیه دادن و تشویق نویسنده

توصیه شده

چرا باید هسته ترانسفورماتور فقط در یک نقطه به زمین متصل شود؟ آیا متصل کردن چند نقطه‌ای مطمئن‌تر نیست؟
چرا باید هسته ترانسفورماتور به زمین متصل شود؟در حین عملکرد، هسته ترانسفورماتور، همراه با ساختارهای فلزی، قطعات و اجزایی که هسته و پیچه‌ها را ثابت می‌کنند، در یک میدان الکتریکی قوی قرار دارند. تحت تأثیر این میدان الکتریکی، آنها نسبت به زمین پتانسیل نسبتاً بالایی کسب می‌کنند. اگر هسته به زمین متصل نشود، اختلاف پتانسیل بین هسته و ساختارهای ضبط‌کننده و ظرف موجود خواهد بود که ممکن است منجر به تخلیه نامنظم شود.علاوه بر این، در حین عملکرد، یک میدان مغناطیسی قوی پیچه‌ها را احاطه می‌کند. هسته و ساختارهای
01/29/2026
درک زمین‌بندی میانگین ترانسفورماتور
I. نقطه خنثی چیست؟در ترانسفورماتورها و ژنراتورها، نقطه خنثی نقطه‌ای خاص در پیچش است که ولتاژ مطلق بین این نقطه و هر ترمینال خارجی یکسان است. در نمودار زیر، نقطهOنقطه خنثی را نشان می‌دهد.II. چرا نقطه خنثی به زمین کشیدن نیاز دارد؟روش اتصال الکتریکی بین نقطه خنثی و زمین در سیستم قدرت جریان متناوب سه‌فازی بهروش زمین کشیدن نقطه خنثیمشهور است. این روش زمین کشیدن مستقیماً بر:امنیت، قابلیت اطمینان و اقتصادی بودن شبکه قدرت؛انتخاب سطح عایق‌بندی تجهیزات سیستم؛سطح ولتاژ‌های فراگذر؛طرح‌های حفاظت رله‌ای؛تشویش
01/29/2026
نامتعادلی ولتاژ: خطای زمینی، خط باز یا رزونانس؟
زمین‌بندی تک‌فاز، قطع خط (افتادن فاز) و رزونانس می‌توانند همگی باعث نامتعادلی ولتاژ سه‌فاز شوند. تشخیص صحیح بین آنها برای رفع سریع خطا ضروری است.زمین‌بندی تک‌فازاگرچه زمین‌بندی تک‌فاز باعث نامتعادلی ولتاژ سه‌فاز می‌شود، ولتاژ دوطرفه (خط-خط) تغییر نمی‌کند. این نوع خطا به دو نوع تقسیم می‌شود: زمین‌بندی فلزی و غیرفلزی. در زمین‌بندی فلزی، ولتاژ فاز خراب شده به صفر می‌رسد، در حالی که ولتاژ دو فاز دیگر به اندازه √3 (تقریباً ۱.۷۳۲) افزایش می‌یابد. در زمین‌بندی غیرفلزی، ولتاژ فاز خراب شده به صفر نمی‌رسد
11/08/2025
ساختار و اصل کار سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک
ساختار و اصل کار سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک (PV)سیستم تولید برق فتوولتائیک (PV) عمدتاً شامل مدول‌های PV، کنترل‌گر، انورتر، باتری‌ها و لوازم جانبی دیگر (باتری‌ها برای سیستم‌های متصل به شبکه نیاز نیستند). بر اساس آنکه آیا به شبکه عمومی برق متکی است یا خیر، سیستم‌های PV به دو نوع مستقل از شبکه و متصل به شبکه تقسیم می‌شوند. سیستم‌های مستقل از شبکه بدون وابستگی به شبکه برق عمومی عمل می‌کنند. آنها با باتری‌های ذخیره‌سازی انرژی تجهیز شده‌اند تا تامین برق پایدار را در زمان شب یا دوره‌های طولانی ابری
10/09/2025
درخواست قیمت
+86
کلیک کنید تا فایل آپلود شود
دانلود
دریافت برنامه کاربردی تجاری IEE-Business
با استفاده از برنامه IEE-Business تجهیزات را پیدا کنید راه حل ها را دریافت کنید با متخصصان ارتباط برقرار کنید و در همکاری صنعتی شرکت کنید هر زمان و مکانی کاملاً حمایت از توسعه پروژه ها و کسب و کارهای برق شما