• Product
  • Suppliers
  • Manufacturers
  • Solutions
  • Free tools
  • Knowledges
  • Experts
  • Communities
Search


با توجه به پیکربندی طول و چگالی جریان، چگونه می‌توان قدرت میدان مغناطیسی را محاسبه کرد؟

Encyclopedia
Encyclopedia
فیلد: دانشنامه
0
China

برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی (Magnetic Field Strength,
H) بر اساس طول و چگالی شار مغناطیسی (Magnetic Flux Density,
B)، لازم است رابطه بین این دو کمیت را درک کنید. قدرت میدان مغناطیسی
H و چگالی شار مغناطیسی
B معمولاً از طریق منحنی مغناطیس‌شدن (B-H curve) یا نفوذپذیری (
μ) مرتبط هستند.

۱. فرمول پایه

  • رابطه بین قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H و چگالی شار مغناطیسی  
     
    B می‌تواند با فرمول زیر بیان شود:

745a55b5f68e6679c375734b8e513de0.jpeg

  • که در آن:

    • B چگالی شار مغناطیسی است که به تسلا (T) اندازه‌گیری می‌شود.


    •  
      H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازه‌گیری می‌شود.


    •  
      μ نفوذپذیری است که به هنری بر متر (H/m) اندازه‌گیری می‌شود.

  • نفوذپذیری  
     
    μ می‌تواند به صورت حاصلضرب نفوذپذیری فضای خالی  
     
    μ0 و نفوذپذیری نسبی  
     
    μr بیان شود:

eb82fc99e4bc69614f6ecfdfd439d66d.jpeg

  • که در آن:

    • μ0 نفوذپذیری فضای خالی است، تقریباً 
       
      4π×10−7H/m.

    • μr نفوذپذیری نسبی ماده است که برای مواد غیرمغناطیسی (مانند هوا، مس، آلومینیوم) تقریباً ۱ است و برای مواد مغناطیسی (مانند آهن، نیکل) می‌تواند بسیار بالا (صدها تا هزارها) باشد.

۲. محاسبه قدرت میدان مغناطیسی 
H با توجه به 
B و 
μ

اگر چگالی شار مغناطیسی
B و نفوذپذیری
μ را داشته باشید، می‌توانید مستقیماً از فرمول فوق برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی
H استفاده کنید:

8f9b0cbc67726fe478aa7b1c89b1649c.jpeg

به عنوان مثال، فرض کنید یک ترانسفورماتور با هسته آهنی با چگالی شار مغناطیسی B=1.5T و نفوذپذیری نسبی μr=1000 دارید. سپس:

7d2393f3abc7e4cf6042ab6b8ca875be.jpeg

۳. در نظر گرفتن منحنی‌های مغناطیس‌شدن غیرخطی

برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری
μ ثابت نیست بلکه با تغییر قدرت میدان مغناطیسی H متفاوت می‌شود. در عمل، به ویژه در میدان‌های قوی، نفوذپذیری ممکن است به طور قابل توجهی کاهش یابد که منجر به رشد کندتر چگالی شار مغناطیسی
B می‌شود. این رابطه غیرخطی توسط منحنی B-H ماده توصیف می‌شود.

  • منحنی B-H: منحنی B-H نشان می‌دهد که چگالی شار مغناطیسی  
     
    B چگونه با تغییر قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H تغییر می‌کند. برای مواد مغناطیسی، منحنی B-H معمولاً غیرخطی است، به ویژه وقتی به نقطه اشباع نزدیک می‌شود. اگر منحنی B-H ماده خود را داشته باشید، می‌توانید قدرت میدان مغناطیسی  
     
    H را با یافتن مقدار متناظر  
     
    H برای یک B داده شده تعیین کنید.

  • استفاده از منحنی B-H:

    1. چگالی شار مغناطیسی داده شده 
       
      B را روی منحنی B-H پیدا کنید.

    2. قدر ت میدان مغناطیسی H را از روی منحنی بخوانید.

۴. در نظر گرفتن طول مدار مغناطیسی

اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی (مانند طول
l هسته) داشته باشید، می‌توانید از قانون مدار مغناطیسی (مانند قانون اهم در مدارهای الکتریکی) برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی استفاده کنید. قانون مدار مغناطیسی می‌تواند به صورت زیر بیان شود:

2bc7cc1312a22f792dc2c6ffb45973e8.jpeg

که در آن:


  •  
    F نیروی مغناطیسی (MMF) است که به آمپر دور (A-turns) اندازه‌گیری می‌شود.


  •  
    H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازه‌گیری می‌شود.


  •  
    l طول متوسط مدار مغناطیسی است که به متر (m) اندازه‌گیری می‌شود.

نیروی مغناطیسی
F معمولاً با جریان
I و تعداد دورهای
N در سیم پیچ تعیین می‌شود:

86fe3eb5eedfc0829db5bd514f7adf88.jpeg

با ترکیب این دو معادله، به فرمول زیر می‌رسید:

5d05bd47bf0f2ecbc25bb2805989c82f.jpeg

این فرمول زمانی مفید است که طول مدار مغناطیسی
l و پارامترهای سیم پیچ (تعداد دور N و جریان
I) را داشته باشید.

۵. خلاصه مراحل

  1. تعیین چگالی شار مغناطیسی   
     
    B: از چگالی شار مغناطیسی داده شده   
     
    B استفاده کنید.

  2. انتخاب نفوذپذیری مناسب   
     
    μ: برای مواد خطی (مانند هوا یا مواد غیرمغناطیسی)، از نفوذپذیری فضای خالی   
     
    μ0 استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری نسبی μr را در نظر بگیرید یا از منحنی B-H استفاده کنید.

  3. محاسبه قدرت میدان مغناطیسی H: از فرمول H=μB استفاده کنید یا مقدار متناظر   
     
    H را از منحنی B-H بخوانید.

  4. در نظر گرفتن طول مدار مغناطیسی (در صورت لزوم): اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی H=lN⋅I برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.

نتیجه‌گیری

برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی با توجه به طول و چگالی شار مغناطیسی، ابتدا نفوذپذیری
μ را تعیین کنید، سپس از فرمول
H=μB استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، توصیه می‌شود از منحنی B-H برای مدیریت رابطه غیرخطی استفاده کنید. اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی
H=lF برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.


هدیه دادن و تشویق نویسنده
توصیه شده
ساختار و اصل کار سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک
ساختار و اصل کار سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک
ساختار و اصل کار سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک (PV)سیستم تولید برق فتوولتائیک (PV) عمدتاً شامل مدول‌های PV، کنترل‌گر، انورتر، باتری‌ها و لوازم جانبی دیگر (باتری‌ها برای سیستم‌های متصل به شبکه نیاز نیستند). بر اساس آنکه آیا به شبکه عمومی برق متکی است یا خیر، سیستم‌های PV به دو نوع مستقل از شبکه و متصل به شبکه تقسیم می‌شوند. سیستم‌های مستقل از شبکه بدون وابستگی به شبکه برق عمومی عمل می‌کنند. آنها با باتری‌های ذخیره‌سازی انرژی تجهیز شده‌اند تا تامین برق پایدار را در زمان شب یا دوره‌های طولانی ابری
Encyclopedia
10/09/2025
چگونه می‌توان یک نیروگاه خورشیدی را نگهداری کرد؟ شرکت برق ایالات متحده پاسخ به ۸ سوال رایج در مورد نگهداری و تعمیرات (2)
چگونه می‌توان یک نیروگاه خورشیدی را نگهداری کرد؟ شرکت برق ایالات متحده پاسخ به ۸ سوال رایج در مورد نگهداری و تعمیرات (2)
1. در روزهای آفتابی و داغ، آیا باید قطعات آسیب‌پذیر خراب شده فوراً تعویض شوند؟تعویض فوری توصیه نمی‌شود. اگر تعویض ضروری است، بهتر است در صبح زود یا بعدازظهر انجام شود. باید فوراً با کارکنان عملیات و نگهداری (O&M) ایستگاه برق تماس بگیرید و کارکنان متخصص برای تعویض به محل بروند.2. برای جلوگیری از ضربه سنگین اجسام به ماژول‌های فتوولتائیک (PV)، آیا می‌توان صفحات محافظ شبکه‌ای دور ترکیب‌های PV نصب کرد؟نصب صفحات محافظ شبکه‌ای توصیه نمی‌شود. این دلیل دارد که نصب چنین صفحاتی در اطراف ترکیب‌های PV مم
Encyclopedia
09/06/2025
چگونه یک نیروگاه فتوولتاییک را نگهداری کنیم؟ شرکت برق ایران به ۸ سوال عمومی در مورد نگهداری و تعمیر پاسخ می‌دهد (۱)
چگونه یک نیروگاه فتوولتاییک را نگهداری کنیم؟ شرکت برق ایران به ۸ سوال عمومی در مورد نگهداری و تعمیر پاسخ می‌دهد (۱)
1. سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک (PV) پراکنده معمولاً چه اشکالاتی دارند؟ چه مشکلات نمونه‌ای ممکن است در اجزای مختلف سیستم رخ دهد؟اشکالات رایج شامل عدم عملکرد یا شروع کار انوژنرهایی که ولتاژ به مقدار آغازین تنظیم شده نمی‌رسد و تولید انرژی پایین به دلیل مشکلات موجود در ماژول‌های PV یا انوژنرها می‌باشد. مشکلات نمونه‌ای که ممکن است در اجزای سیستم رخ دهند عبارتند از سوختن جعبه‌های اتصال و سوختن محلی ماژول‌های PV.2. چگونه باید با اشکالات رایج سیستم‌های تولید برق فتوولتائیک (PV) پراکنده برخورد کرد؟در
Leon
09/06/2025
کوتاه شدن مدار در مقایسه با بیش‌باری: درک تفاوت‌ها و چگونگی حفاظت از سیستم قدرت شما
کوتاه شدن مدار در مقایسه با بیش‌باری: درک تفاوت‌ها و چگونگی حفاظت از سیستم قدرت شما
یکی از تفاوت‌های اصلی بین کوتاه شدن مدار و بارگذاری بیش از حد این است که کوتاه شدن مدار به دلیل خرابی بین رسانه‌ها (خط به خط) یا بین یک رسانه و زمین (خط به زمین) رخ می‌دهد، در حالی که بارگذاری بیش از حد به وضعیتی اشاره دارد که تجهیزات جریان بیشتری نسبت به ظرفیت اسمی خود از منبع تغذیه می‌گیرند.تفاوت‌های کلیدی دیگر بین این دو در جدول مقایسه زیر توضیح داده شده است.اصطلاح "بارگذاری بیش از حد" معمولاً به حالتی در مدار یا دستگاه متصل اشاره دارد. مدار وقتی که بار متصل به آن بیش از ظرفیت طراحی شده آن با
Edwiin
08/28/2025
درخواست قیمت
دانلود
دریافت برنامه کاربردی تجاری IEE-Business
با استفاده از برنامه IEE-Business تجهیزات را پیدا کنید راه حل ها را دریافت کنید با متخصصان ارتباط برقرار کنید و در همکاری صنعتی شرکت کنید هر زمان و مکانی کاملاً حمایت از توسعه پروژه ها و کسب و کارهای برق شما