برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی (Strength of Magnetic Field, H) بر اساس طول و چگالی شار مغناطیسی (Magnetic Flux Density, B)، لازم است رابطه بین این دو کمیت را درک کنید. قدرت میدان مغناطیسی H و چگالی شار مغناطیسی B معمولاً از طریق منحنی مغناطیسی (B-H curve) یا نفوذپذیری ( μ) مرتبط هستند.
رابطه بین قدرت میدان مغناطیسی H و چگالی شار مغناطیسی B میتواند با فرمول زیر بیان شود:

که در آن:
B چگالی شار مغناطیسی است که به تسلا (T) اندازهگیری میشود.
H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازهگیری میشود.
μ نفوذپذیری است که به هنری بر متر (H/m) اندازهگیری میشود.
نفوذپذیری μ میتواند به حاصل ضرب نفوذپذیری فضای خالی μ0 و نفوذپذیری نسبی μr تجزیه شود:

که در آن:
μ0 نفوذپذیری فضای خالی است، تقریباً 4π×10−7H/m.
μr نفوذپذیری نسبی مواد است که تقریباً 1 برای مواد غیرمغناطیسی (مانند هوا، مس، آلومینیوم) و میتواند بسیار بالا (صدها تا هزاران) برای مواد مغناطیسی (مانند آهن، نیکل) باشد.
اگر چگالی شار مغناطیسی B و نفوذپذیری μ را بدانید، میتوانید مستقیماً از فرمول فوق برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی H استفاده کنید:

به عنوان مثال، فرض کنید یک ترانسفورماتور با هسته آهنی با چگالی شار مغناطیسی B=1.5T و نفوذپذیری نسبی μr=1000 دارید. سپس:

برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری μ ثابت نیست بلکه با قدرت میدان مغناطیسی H متغیر است. در عمل، به ویژه در شدتهای میدان بالا، نفوذپذیری ممکن است به طور قابل توجهی کاهش یابد که منجر به رشد کندتر چگالی شار مغناطیسی B میشود. این رابطه غیرخطی توسط منحنی B-H مواد توصیف میشود.
منحنی B-H: منحنی B-H نشان میدهد که چگونه چگالی شار مغناطیسی B با قدرت میدان مغناطیسی H تغییر میکند. برای مواد مغناطیسی، منحنی B-H معمولاً غیرخطی است، به ویژه وقتی به نقطه اشباع نزدیک میشود. اگر منحنی B-H ماده خود را داشته باشید، میتوانید قدرت میدان مغناطیسی H را با یافتن مقدار متناظر H برای یک B داده شده تعیین کنید.
استفاده از منحنی B-H:
چگالی شار مغناطیسی داده شده B را روی منحنی B-H پیدا کنید.
مقدار متناظر قدرت میدان مغناطیسی H را از منحنی بخوانید.
اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی (مانند طول l هسته) دارید، میتوانید از قانون مدار مغناطیسی (معادل قانون اهم در مدارهای الکتریکی) برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی استفاده کنید. قانون مدار مغناطیسی میتواند به صورت زیر بیان شود:

که در آن:
F نیروی مغناطیسی (MMF) است که به آمپر-دور (A-turns) اندازهگیری میشود.
H قدر ت میدان مغناطیسی است که به آمپر بر متر (A/m) اندازهگیری میشود.
l طول متوسط مدار مغناطیسی است که به متر (m) اندازهگیری میشود.
نیروی مغناطیسی F معمولاً با جریان I و تعداد دورهای N در سیمپیچ تعیین میشود:

با ترکیب این دو معادله، به دست میآید:

این فرمول وقتی مفید است که طول مدار مغناطیسی l و پارامترهای سیمپیچ (تعداد دور N و جریان I) را بدانید.
تعیین چگالی شار مغناطیسی B: از چگالی شار مغناطیسی داده شده B استفاده کنید.
انتخاب نفوذپذیری مناسب μ: برای مواد خطی (مانند هوا یا مواد غیرمغناطیسی)، از نفوذپذیری فضای خالی μ0 استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، نفوذپذیری نسبی μr را در نظر بگیرید یا از منحنی B-H استفاده کنید.
محاسبه قدرت میدان مغناطیسی H: از فرمول H=μB یا مقدار متناظر H را از منحنی B-H بخوانید.
در نظر گرفتن طول مدار مغناطیسی (اگر لازم باشد): اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی H=lN⋅I برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.
برای محاسبه قدرت میدان مغناطیسی با توجه به طول و چگالی شار مغناطیسی، ابتدا نفوذپذیری μ را تعیین کنید، سپس از فرمول H=μB استفاده کنید. برای مواد مغناطیسی، توصیه میشود از منحنی B-H برای مدیریت رابطه غیرخطی استفاده کنید. اگر نیاز به در نظر گرفتن هندسه مدار مغناطیسی دارید، از قانون مدار مغناطیسی H=lF برای تحلیل بیشتر استفاده کنید.