ताम्र एल्युमिनियम अन्तर्विलिपि प्लेट

MG कपर अल्युमिनियम ट्रान्झिशन प्लेट एक मानकीकृत चालक घटक हो जसले विद्युत प्रणालीमा कपर र अल्युमिनियम चालक (जस्तै बसबार र उपकरण टर्मिनल) को संयोजन समस्याको समाधान गर्छ। यसले विशेष प्रक्रियाहरूद्वारा कपर र अल्युमिनियमबीच विश्वसनीय धातुको संयोजन लगाउँछ, जसले कपर र अल्युमिनियमबीचको सीधो संपर्कले उत्पन्न भएको विद्युत-रासायनिक जड़ता रोक्न सक्छ र ठूलो विद्युत फ्लाउ ट्रान्समिशनको लागि निम्न इम्पिडेन्स गारन्टी दिन्छ। यो व्यापक रूपमा उप-स्टेशनहरू, वितरण केबिनहरू, नयाँ ऊर्जा स्टोरेज प्रणालीहरू र अन्य परिस्थितिहरूमा प्रयोग गरिन्छ, र यो कपर अल्युमिनियम चालक संयोजनको सुरक्षा र स्थिरताको लागि एक महत्त्वपूर्ण घटक हो।
१. मुख्य प्रक्रिया र संरचना: संयोजन विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्ने
MG कपर अल्युमिनियम ट्रान्झिशन प्लेटको मुख्य मूल्य कपर अल्युमिनियम संयोजनको स्थिरतामा आधारित छ, र यसको प्रक्रिया चयन र संरचना डिजाइन त्यसको चालकता, जड़ता-प्रतिरोधक र सेवा जीवनलाई निर्धारण गर्छ।
१. मुख्य उत्पादन प्रक्रिया: कपर र अल्युमिनियमबीच धातुको संयोजन लगाउने
मानकीकृत ट्रान्झिशन प्लेटको रूपमा, MG श्रृंखला मुख्यतया फ्लैश बट वेल्डिङ वा एक्सप्लोसिव वेल्डिङ प्रक्रियाहरू लिन्छ, दुवै प्रक्रियाहरूले कपर र अल्युमिनियमबीच अणु स्तरको संयोजन लगाउन सक्छ, "कायामय जोड" वा "अतिशय खुफिया प्रतिरोध" जस्ता समस्याहरूलाई टाल्न सक्छ:
फ्लैश वेल्डिङ प्रक्रिया: कपर ब्लक (T2 बैगुना कपर, शुद्धता ≥ ९९.९%) र अल्युमिनियम ब्लक (१०६० शुद्ध अल्युमिनियम/६०६३ अल्युमिनियम अल्लोय) उच्च फ्रिक्वेन्सी विद्युत द्वारा योग्य रूपमा गर्म गरिएको छ, र त्यसपछि अक्षीय दबाव लगाइ दुईलाई एक्सिल गर्नेछ, जसले निरन्तर धातु संयोजन लेयर (मोटाई ५०-१०० μ m) बनाउँछ। यो प्रक्रियाले उच्च उत्पादन दक्षता र उच्च संयोजन शक्ति (टेन्सिल शक्ति ≥ ८०MPa) राख्छ, जसले मध्यम र निम्न वोल्टेज (≤ ३५kV) र पारम्परिक विद्युत फ्लाउ स्थितिहरूको लागि उपयुक्त छ।
एक्सप्लोसिव वेल्डिङ प्रक्रिया: विस्फोटक विस्फोट द्वारा उत्पन्न उच्च दबावको झटका लागि प्रयोग गर्दै, कपर र अल्युमिनियम प्लेटहरू मिलिसेकेन्डमा उच्च गति द्वारा टक्कर लगाउँछ, जसले सतह ऑक्साइड फिल्म टोक्दै र धातु इन्टरफेसमा ठोस धातु संयोजन लगाउँछ। संयोजन लेयर अधिक समान (मोटाई १००-२०० μ m) छ, जसमा उत्तम झटका र थकाउन रोधक र निम्न खुफिया प्रतिरोध (≤ ५ μ Ω) छ, जसले उच्च वोल्टेज (≥ ११०kV) र उच्च विद्युत फ्लाउ (≥ २०००A) स्थितिहरूको लागि उपयुक्त छ।