Wysoko precyzyjne rozwiązanie standardowego transformatora napięciowego dla laboratoriów

Ⅰ. Aspekty techniczne: Śledzenie do standardów metrológicznych
To rozwiązanie koncentruje się na krajowym systemie odniesienia metrologicznym dla energii elektrycznej, wykorzystując niezależnie kontrolowany łańcuch śledzenia, aby zapewnić, że wyniki pomiaru napięcia są bezpośrednio przypisane do Międzynarodowego Systemu Jednostek (SI). Eliminując błędy kaskadowe charakterystyczne dla tradycyjnych urządzeń pomiarowych, oferuje możliwości pomiaru napięcia o jakości referencyjnej dla zaawansowanych laboratoriów.

Ⅱ. Główne innowacje technologiczne
Dwustopniowa struktura kompensacji błędów transformatora napięciowego
• Wykorzystuje dwupętlowy projekt z wiatrzeniem głównym + wiatrzeniem kompensacyjnym, dynamicznie zrównoważonym prądem pobudzającym i reaktywnością przeciekową poprzez anulowanie magnetycznego przepływu w czasie rzeczywistym. To przekracza teoretyczne granice dokładności transformatorów jednoetapowych.
• Dokładność wiatrzenia kompensacyjnego: ±0,5 ppm, umożliwiając automatyczną korekcję nieliniowych błędów w szerokim zakresie (1%–120% Un).

• System kontroli temperatury zanurzony w oleju termostabilizowanym
  • Wypełniony wysokostabilnym syntetycznym olejem izolacyjnym (współczynnik rozszerzalności cieplnej <100 ppm/°C).
  • Trójstopniowy system kontroli temperatury półprzewodników:
  • Dokładność temperatury oleju: 55±0,05°C (przekraczając wymagania ±0,1°C)
  • Gradient temperatury: <0,3°C wariacja osiowa wzdłuż wiatrowia
  • Stała czasowa termiczna >8 godzin; codzienna dryfa <0,01°C.
• Niskotlenkowe oporniki podzielone napięcie na podłożu kwarcowym
  • Elementy oporne na podłożu kwarcowym (CTE=0,55 ppm/°C).
  • Oporniki metalowe warstwy cienkiej przycinane laserowo (stop NiCrAl):
  • Współczynnik temperaturowy (TCR): <0,05 ppm/°C (średnia testowana)
  • Współczynnik napięcia (VCR): <0,02 ppm/V
  • Roczna stopa starzenia: <3 ppm

Ⅲ. Scenariusze zastosowania
• Standardy napięcia narodowych instytutów metrológicznych
• Monitorowanie mocy w urządzeniach produkcyjnych chipów (np. etcery z rozdzielczością 0,1 nm)
• Precyzyjna certyfikacja zasilaczy z magneticznego uwięzienia w urządzeniach fuzji
• Referencyjne pomiary oporności nowych materiałów półprzewodnikowych