عالی درستگی کی لابوریٹری معیار ولٹیج ٹرانسفارمر حل

Ⅰ. ​فنی توجہ: میٹرولوجیکل معیاروں کی نسبت​
اس حل کا مرکز قومی برقی طاقة میٹرولوجی ریفرنس سسٹم پر ہے، جس میں ایک آزادانہ طور پر کنٹرول کیا جانے والا نسبت کا سلسلہ استعمال کیا جاتا ہے تاکہ وولٹیج کے نتائج کو بین الاقوامی نظامِ اکائی (SI) سے مستقیماً نسبت دی جا سکے۔ یہ روایتی میزبانگی ڈیوائسز میں موجود کیسکیڈنگ خطاوں کو ختم کرتا ہے اور اعلیٰ لیبز کے لیے ریفرنس گریڈ وولٹیج کی میزبانگی کی صلاحیت فراہم کرتا ہے۔

Ⅱ. مرکزی فنی نوآوریاں​
دوسرا مرحلہ والی وولٹیج ٹرانسفارمر غلطی کی معاوضہ ساخت​
• پرائمری + معاوضہ وائنڈنگز کے ساتھ ایک دو بندہ لوپ ڈیزائن کا استعمال کرتا ہے، حقیقی وقت میں مخالف میگنیٹک فلکس کی کیلنسلیشن کے ذریعے محرکہ کرنٹ اور لیکیج ریاکٹنس کے اثرات کو متحرک طور پر معاوضہ کرتا ہے۔ یہ ایک واحد مرحلہ والے ٹرانسفارمرز کے نظریہ کے درجہ برداری کی حدود کو پار کرتا ہے۔
• معاوضہ وائنڈنگ کی درستگی: ±0.5 ppm، یہ وسیع رنج (1%–120% Un) پر خودکار غیر خطی غلطی کی تصحیح کو ممکن بناتا ہے۔

• ترموسٹیٹک آئل-ڈپ ٹیمپریچر کنٹرول سسٹم​
  • بلٹیوں کے ساتھ پر معمولی ثباتی مصنوعی استر آئل (حرارتی اضافے کا عدد <100 ppm/°C)۔
  • تین مرحلہ سیمی کنڈکٹر ٹیمپریچر کنٹرول:
  • آئل کی ٹیمپریچر درستگی: 55±0.05°C (±0.1°C کی ضرورت سے زائد)
  • ٹیمپریچر کی گریڈیئنٹ: <0.3°C وائنڈنگز کے ساتھ محوری تبدیلی
  • حرارتی وقت کا دائم >8 گھنٹے؛ روزانہ ڈریفٹ <0.01°C۔
•  ультра-низкий TCR кварцевий субстрат напівпровідникові резистори​
  • گلاس کوارٹز سب سٹریٹ پر مقاومتی عناصر (CTE=0.55 ppm/°C)۔
  • لیزر کے ذریعے ٹریمڈ تھن-فلم میٹل ریزسٹرز (NiCrAl آلیاژ):
  • ٹیمپریچر کوئفیشینٹ (TCR): <0.05 ppm/°C (ٹیسٹ شدہ اوسط)
  • وولٹیج کوئفیشینٹ (VCR): <0.02 ppm/V
  • سالانہ پرانی کی شرح: <3 ppm

Ⅲ. ​معمولی سیناریو​
• قومی میٹرولوجی انسٹی ٹیوٹ کے وولٹیج معیار
• چپ منصوبہ بندی کے معدات کے لیے برقی نگرانی (مثال کے طور پر، 0.1nm-ریزولوشن ایچر)
• فیوژن ڈیوائسز میں میگنیٹک کنفائنمنٹ کے برقی سپلائیز کی درستگی کی توثیق
• نویں سیمی کنڈکٹر مواد کے لیے ریفرنس ریزسٹوٹیٹی کی میزبانگی