उच्च-प्रCISION प्रयोगशाला मानक वोल्टेज ट्रांसफार्मर समाधान

Ⅰ. ​तकनीकी ध्यान केंद्र: मापनीय मानकों की ट्रेसेबिलिटी​
यह समाधान राष्ट्रीय विद्युत ऊर्जा मापन संदर्भ प्रणाली पर केंद्रित है, जो एक स्वतंत्र नियंत्रित ट्रेसेबिलिटी श्रृंखला का उपयोग करके वोल्टेज मापन परिणामों को अंतर्राष्ट्रीय मात्रा प्रणाली (SI) तक प्रत्यक्ष रूप से ट्रेस करने की सुनिश्चितता प्रदान करता है। पारंपरिक मापन उपकरणों में निहित प्रवाहित त्रुटियों को दूर करके, इसमें उन्नत प्रयोगशालाओं के लिए संदर्भ-स्तरीय वोल्टेज मापन क्षमताएँ होती हैं।

​Ⅱ. मुख्य तकनीकी नवाचार​
दो-चरणीय वोल्टेज ट्रांसफार्मर त्रुटि कंपेंसेशन संरचना​
• प्राथमिक + कंपेंसेशन वाइंडिंग के साथ दो बंद लूप डिजाइन का उपयोग करके, वास्तविक समय में विपरीत चुंबकीय फ्लक्स कैंसिलेशन के माध्यम से प्रेरण धारा और लीक प्रतिक्रिया प्रभावों को गतिविधितर रूप से संतुलित करता है। यह एकल-चरणीय ट्रांसफार्मरों की सैद्धांतिक सटीकता की सीमाओं को पार करता है।
• कंपेंसेशन वाइंडिंग सटीकता: ±0.5 ppm, जो व्यापक परिसर (1%–120% Un) में स्वचालित गैर-रैखिक त्रुटि संशोधन की सक्षम बनाता है।

• थर्मोस्टैटिक तेल-मग्न ताप नियंत्रण प्रणाली​
  • उच्च स्थिरता वाले संश्लेषित एस्टर आइसोलेशन तेल से भरा (ताप विस्तार गुणांक <100 ppm/°C)।
  • त्रिपदीय अर्धचालक ताप नियंत्रण:
  • तेल ताप सटीकता: 55±0.05°C (±0.1°C की आवश्यकता से अधिक)
  • ताप प्रवणता: वाइंडिंग के परिधि में <0.3°C अक्षीय भिन्नता
  • तापीय समय स्थिरांक >8 घंटे; दैनिक ड्रिफ्ट <0.01°C।
•  अत्यधिक-कम TCR क्वार्ट्ज-आधार वोल्टेज डिवाइडर रेझिस्टर​
  • फ्यूज्ड क्वार्ट्ज आधार पर प्रतिरोधी तत्व (CTE=0.55 ppm/°C)।
  • लेजर-ट्रिम थिन-फिल्म मेटल रेझिस्टर (NiCrAl इंटरलू):
  • ताप गुणांक (TCR): <0.05 ppm/°C (परीक्षण औसत)
  • वोल्टेज गुणांक (VCR): <0.02 ppm/V
  • वार्षिक पुरानी दर: <3 ppm

Ⅲ. ​अनुप्रयोग दृश्य​
• राष्ट्रीय मापन संस्थान वोल्टेज मानक
• चिप निर्माण उपकरणों (जैसे, 0.1nm-रिझोल्यूशन एट्चर्स) के लिए विद्युत निगरानी
• फ्यूजन उपकरणों में चुंबकीय संवेदनशील विद्युत सप्लाइ की सटीक प्रमाणिकरण
• नवीन अर्धचालक सामग्रियों के लिए संदर्भ प्रतिरोधिता माप