उच्च-परिशुद्धता लाबोरेटरी मानक वोल्टेज ट्रान्सफार्मर समाधान
Ⅰ. तकनीकी फोकस: मापन स्थानांतरणको प्रत्यक्षता
यो समाधान राष्ट्रिय विद्युत ऊर्जा मापन रेफरेन्स सिस्टममा केन्द्रित छ, जहाँ स्वतंत्र नियंत्रित स्थानांतरण श्रृंखला प्रयोग गरी वोल्टेज मापनको नतिजाहरूलाई अन्तर्राष्ट्रिय मात्रा प्रणाली (SI) सिधा स्थानांतरण गरिने गरिन्छ। परम्परागत मापन उपकरणहरूमा अन्तर्निहित चढाइदार त्रुटिहरूलाई हटाउँदै यो उच्च प्रयोगशालाहरूको लागि रेफरेन्स-ग्रेड वोल्टेज मापन क्षमता प्रदान गर्छ।
Ⅱ. मुख्य तकनीकी नवाविधिहरू
डुअल-स्टेज वोल्टेज ट्रान्सफार्मर त्रुटि कम्पनसेसन संरचना
• प्राथमिक + कम्पनसेसन वाइंडिङहरूसह डुअल क्लोज्ड-लूप डिझाइन प्रयोग गर्दै, यसले वास्तविक समयमा विपरीत चुम्बकीय फ्लक्स रद्द गरी एक्साइटेशन विद्युत र लीक रिअक्टन्स भएको प्रभावहरूलाई गतिशील रूपमा रद्द गर्छ। यो एकल-स्टेज ट्रान्सफार्मरहरूको सैद्धान्तिक प्रतिशतता सीमाहरूलाई पार गर्छ।
• कम्पनसेसन वाइंडिङको प्रतिशतता: ±0.5 ppm, यो १% देखि १२०% Un यो विस्तारको भित्र ऑटोमेटिक गैर-रैनियर त्रुटि सुधार गर्न सक्छ।
- थर्मोस्टेटिक तेल-समावेशी तापक्रम नियन्त्रण प्रणाली
• उच्च स्थिरता वाले सिन्थेटिक एस्टर आइसोलेटिङ तेल (तापक्रम विस्तार गुणांक <100 ppm/°C) भरिएको।
• तिन-चरणीय सेमीकंडक्टर तापक्रम नियन्त्रण:
• तेल तापक्रम प्रतिशतता: ५५±०.०५°C (पार गरिएको ±०.१°C आवश्यकता)
• तापक्रम ढाल: <०.३°C अक्षिय विस्तार वाइंडिङहरू भित्र
• थर्मल समय स्थिरांक >८ घण्टा; दैनिक ड्रिफ्ट <०.०१°C। - अत्यन्त कम TCR क्वार्ट्स-सब्स्ट्रेट वोल्टेज डिभाइडर रेजिस्टरहरू
• फ्युज्ड क्वार्ट्स सब्स्ट्रेटमा रेजिस्टिव तत्वहरू (CTE=०.५५ ppm/°C)।
• लेजर-ट्रिम्ड थिन-फिल्म मेटल रेजिस्टरहरू (NiCrAl अल्यो):
• तापक्रम गुणांक (TCR): <०.०५ ppm/°C (परीक्षण औसत)
• वोल्टेज गुणांक (VCR): <०.०२ ppm/V
• वार्षिक एजिङ दर: <३ ppm
Ⅲ. प्रयोगको दृश्यहरू
• राष्ट्रिय मापन संस्थाको वोल्टेज मानकहरू
• चिप निर्माण उपकरणहरू (उदाहरणका लागि, ०.१nm-रिझोल्युशन एट्चर)को लागि विद्युत निगरानी
• फ्युजन उपकरणहरूमा चुम्बकीय बाँधको विद्युत आपूर्तिको लागि निश्चित प्रमाणिकरण
• नवीन सेमीकंडक्टर सामग्रीको लागि रेफरेन्स रेजिस्टिविटी मापन
