Högprecision laboratoriestandard spänningsomvandlare lösning

Ⅰ. ​Teknisk fokus: Spårbarhet till mätstandarder​
Denna lösning fokuserar på det nationella referenssystemet för elektrisk energimätning, genom att använda en oberoende kontrollerad spårbarhetskedja för att säkerställa att spänningsmätresultat är direkt spårbara till Internationella enhetssystemet (SI). Genom att eliminera de kaskadartade fel som finns i traditionella mätinstrument erbjuder den referensklassens spänningsmätkapacitet för avancerade laboratorier.

​Ⅱ. Kärntekniska innovationer​
Dubbelstegs struktur för spänningstransformatorns felkompensation​
• Använder en dubbel slutna slöjd med primär + kompensationsvindningar, som dynamiskt motverkar effekterna av anslutningsström och läckagereaktans genom realtidsbaserad omvänt magnetisk flödesneutralisering. Detta överträffar teoretiska noggrannhetsgränser för enstegs-transformatorer.
• Kompensationsvindningsnoggrannhet: ±0,5 ppm, vilket möjliggör automatisk icke-linjär felkorrektion över ett brett område (1%–120% Un).

• Termostatisk oljeimmersions temperaturkontrollsystem​
  • Fylld med högstadig syntetisk esterisoleringsoil (termisk utvidgningskoefficient <100 ppm/°C).
  • Tredjeledigt halvledartemperaturkontroll:
  • Oljetemperaturprecision: 55±0,05°C (överstiger ±0,1°C-krav)
  • Temperaturgradient: <0,3°C axiell variation över vindningar
  • Termisk tidkonstant >8 timmar; daglig drift <0,01°C.
•  Ultra-låg TCR kvartsbaserade spänningsdelare resistanser​
  • Resistiva element på smält kvartsunderlag (CTE=0,55 ppm/°C).
  • Lasertrimmade tunnfilm metallresistanser (NiCrAl-legering):
  • Temperaturkoefficient (TCR): <0,05 ppm/°C (testad genomsnitt)
  • Spänningskoefficient (VCR): <0,02 ppm/V
  • Årlig åldringstakt: <3 ppm

Ⅲ. ​Användningsscenario​
• Nationella mätinstituts spänningsstandarder
• Strömförbrukningsövervakning för chipstillverkningsutrustning (t.ex. etcher med 0,1nm-upplösning)
• Precisionscertifiering av magnetiska konfinement-strömförsörjningar i fusionsanläggningar
• Referensresistivitetsmätningar för nya halvledarmaterial