Жоғары дәлдікті лабораториялық стандартты керіндер түріндегі шешім

І. Техникалық фокус: Метрологиялық стандарттарға жолменділік
Бұл шешім ұлттық электр энергиясы метрологиялық басқару жүйесіне негізделген, жеке басқарылатын жолменділік тізбегі арқылы напряжение өлшерілерінің нәтижелері СИ (Елдік Система) ғанағатты ететіндігін жамандауға болады. Традициялық өлшерілерде кездесетін кез-келген қателерді жою арқылы, ол өнеркәсіптік лабораториялар үшін эталондық деңгейдегі напряжение өлшерілерін ұсынады.

ІІ. Негізгі техникалық инновациялар
Екі стадиялық напряжение трансформаторының қате компенсациялық құрылымы
• Бастапқы + компенсациялық виткалары бар екі ақырсыз циклдық дизайнды қолданып, реалды уақытта теріс магниттық потенциалмен қозғалыс токы мен жұмысқа қосылған реактивті сопротивтің әсерін динамикалық түрде жеңілдетеді. Бұл бір стадиялық трансформаторлардың теориялық дәлдік шектерін жетістіктерінен артытуға мүмкіндік береді.
• Компенсациялық виткалардың дәлдігі: ±0.5 ppm, ол өте ширек аралықта (1%–120% Un) автоматты түрде сызықты емес қателерді түзету мүмкіндігін береді.

• Термостаттық масаның температуралық басқару жүйесі
  • Жоғары стабилді синтетикалық эстер изоляция масасымен (термоден қабылдау коэффициенті <100 ppm/°C).
  • Үш стадиялық полупроводников температуралық басқару:
  • Масаның температуралық дәлдігі: 55±0.05°C (±0.1°C талаптарынан арты)
  • Температуралық градиент: <0.3°C виткалар бойынша аксиальды өзгеріс
  • Термоден қабылдау уақыттық тұрақты >8 сағат; күн сайын өзгеріс <0.01°C.
• Өте төмен TCR кварц негізіндегі напряжение бөлу резисторлары
  • Кварц негізіндегі (CTE=0.55 ppm/°C) резистивті элементтер.
  • Лазермен түзілген тән металл резисторлар (NiCrAl сплавы):
  • Температуралық коэффициент (TCR): <0.05 ppm/°C (орташа өлшемдерге қарағанда)
  • Напряжение коэффициент (VCR): <0.02 ppm/V
  • Жылына немересі: <3 ppm

ІІІ. Қолданылу сценарилері
• Ұлттық метрологиялық институттардың напряжение стандарттары
• Чип өндіріс жабдықтарының (мисалы, 0.1nm-реттелікті плазма станоктары) энергиясын бақылау
• Фьюжн устройствілеріндегі магниттік пайдалану үшін өнімділікті түзілетін түрде жетістіктерді дәл қызметкерлері
• Жаңа полупроводник материалдары үшін эталондық құрылымдарды өлшеу