โซลูชันทรานสฟอร์เมอร์แรงดันมาตรฐานห้องปฏิบัติการความแม่นยำสูง

Ⅰ. ความสนใจทางเทคนิค: ติดตามย้อนกลับไปยังมาตรฐานการวัด
โซลูชันนี้มุ่งเน้นที่ระบบอ้างอิงการวัดพลังงานไฟฟ้าระดับชาติ โดยใช้สายการติดตามที่ควบคุมแยกจากกันเพื่อรับประกันว่าผลการวัดแรงดันสามารถติดตามย้อนกลับไปยังระบบหน่วยสากล (SI) ได้โดยตรง ด้วยการกำจัดข้อผิดพลาดแบบซ้อนทับที่พบในอุปกรณ์วัดแบบดั้งเดิม มันมอบความสามารถในการวัดแรงดันระดับอ้างอิงสำหรับห้องปฏิบัติการขั้นสูง

Ⅱ. นวัตกรรมทางเทคนิคหลัก
โครงสร้างการชดเชยความผิดพลาดของทรานส์ฟอร์เมอร์แรงดันสองขั้น
• ใช้การออกแบบวงจรป้อนกลับสองวงจรป้อนกลับพร้อมด้วยวงจรป้อนกลับหลักและวงจรชดเชย ทำการชดเชยกระแสกระตุ้นและการรั่วไหลของอิมพีแดนซ์แบบเรียลไทม์ผ่านการยกเลิกสนามแม่เหล็กย้อนกลับ ทำให้เกินข้อจำกัดทางทฤษฎีของทรานส์ฟอร์เมอร์แบบเดียวขั้น
• ความแม่นยำของวงจรชดเชย: ±0.5 ppm ทำให้สามารถแก้ไขความผิดพลาดแบบไม่เชิงเส้นโดยอัตโนมัติในช่วงกว้าง (1%–120% Un)

• ระบบควบคุมอุณหภูมิด้วยน้ำมันแช่แข็ง
  • เติมน้ำมันฉนวนสังเคราะห์ที่มีความเสถียรสูง (สัมประสิทธิ์การขยายตัวด้วยความร้อน <100 ppm/°C)
  • ระบบควบคุมอุณหภูมิเซมิคอนดักเตอร์สามขั้น:
  • ความแม่นยำของอุณหภูมิน้ำมัน: 55±0.05°C (เกินความต้องการ ±0.1°C)
  • อัตราการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ: <0.3°C ระหว่างวงจรป้อนกลับ
  • ค่าคงที่เวลาความร้อน >8 ชั่วโมง; การเปลี่ยนแปลงประจำวัน <0.01°C
• ตัวแบ่งแรงดันที่มี TCR ต่ำมากบนสารสนเทศควอตซ์
  • องค์ประกอบต้านทานบนสารสนเทศควอตซ์ที่หลอมรวม (CTE=0.55 ppm/°C)
  • ตัวต้านทานโลหะบางชนิดที่ปรับด้วยเลเซอร์ (NiCrAl alloy):
  • สัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (TCR): <0.05 ppm/°C (เฉลี่ยจากการทดสอบ)
  • สัมประสิทธิ์แรงดัน (VCR): <0.02 ppm/V
  • อัตราการเสื่อมสภาพประจำปี: <3 ppm

Ⅲ. สถานการณ์การใช้งาน
• มาตรฐานแรงดันของสถาบันวัดระดับชาติ
• การตรวจสอบพลังงานสำหรับอุปกรณ์ผลิตชิป (เช่น อุปกรณ์ขัดละเอียด 0.1 nm)
• การรับรองความแม่นยำของแหล่งจ่ายไฟสำหรับอุปกรณ์ควบคุมแม่เหล็กในอุปกรณ์ฟิวชัน
• การวัดความต้านทานอ้างอิงสำหรับวัสดุกึ่งตัวนำใหม่