Hoëakkuraat Laboratoriumstandaardspanningsomskakelaaroplossing

Ⅰ. ​Tegniese Fokus: Spoorbaarheid na Metrologiese Standaarde​
Hierdie oplossing fokus op die nasionale elektriese energie metrologiese verwysingstelsel, deur 'n onafhanklik beheerde spoorbaarheidsketting te gebruik om verseker dat voltmetingsresultate direk spoorbaar is na die Internasionale Eenheidstelsel (SI). Deur kaskade-foute in tradisionele metingstoestelle uit te skakel, bied dit verwysingstandaard voltmetingvermoë vir gevorderde laboratoriums.

​Ⅱ. Kern Tegniese Innovasies​
Dubbel-Trap Spanningsoversetters Foutkomstruksuur​
• Maak gebruik van 'n dubbele geslote lusontwerp met primêre + kompensasiewindings, wat dinamies opwekkingsstroombanen en lekreaktansie effekte in real-time deur middel van omgekeerde magneetvloedskanseling afsteil. Dit oorskry die teoretiese akkuraatheidslimite van enkel-trap transformateurs.
• Kompensasiewinding akkuraatheid: ±0.5 ppm, wat outomatiese nie-lineêre foutkorrigering oor 'n wyd bereik (1%–120% Un) moontlik maak.

• Termostatische Olie-Immersietermien Beheersisteem​
  • Gevul met hoëstabiliteit sintetiese ester isolerende olie (termiese uitbreidingskoëffisiënt <100 ppm/°C).
  • Driewydige halfgeleier temperatuurbeheer:
  • Oljetemperatuur presisie: 55±0.05°C (oorskry ±0.1°C vereiste)
  • Temperatuurgradiënt: <0.3°C asiale variasie oor windings
  • Termiese tydkonstante >8 ure; daaglikse dwaal <0.01°C.
•  Ultra-laag TCR Kwarts-Substraat Spanningsdelers Weerstande​
  • Weerstandselemente op gesmolte kwartssubstraat (CTE=0.55 ppm/°C).
  • Lasersnyfynge dunfilm metaal weerstandse (NiCrAl legering):
  • Temperatuurkoëffisiënt (TCR): <0.05 ppm/°C (getoetsde gemiddelde)
  • Spanningskoëffisiënt (VCR): <0.02 ppm/V
  • Jaarlikse verouderingtempo: <3 ppm

Ⅲ. ​Toepassings scenarios​
• Nasionale metrologie instituut spanning standaarde
• Kragmonitoring vir chip vervaardigingsapparatuur (bv., 0.1nm-resolusie etchers)
• Puntsgesonde sertifisering van magkonfinement voorsieninge in fusie toestelle
• Verwysing weerspanningsmetings vir nuwe halvegeleider materiaal