Soluzzjoni ta' Trasformatur tal-Voltazzjoni ta' Standard tal-Laboratorju ta' Aċċuratażzaġg Alta

Ⅰ. Tekniska Fokus: Spurbarhet till Metrologiska Standarder
Denna lösning fokuserar på det nationella referenssystemet för elektrisk energimätning, genom att använda en oberoende kontrollerad spårbarhetskedja för att säkerställa att mätresultat för spänning är direkt spårbara till Internationella enhetssystemet (SI). Genom att eliminera kaskaderingsfel som finns i traditionella mätinstrument levererar den referensklassade spänningsmätningsförmågor för avancerade laboratorier.

Ⅱ. Kärntechniska Innovationer
Dubbelstegsstruktur för felkompensation av spänningsomvandlare
• Använder en dubbel slutstyrd design med primär + kompensationsvindningar, som dynamiskt motverkar effekterna av anslutningsström och läckagereaktans genom realtidsbaserad omvänd magnetflödesneutralisering. Detta överträffar teoretiska noggrannhetsgränser för enstegsomvandlare.
• Noggrannhet för kompensationsvindning: ±0.5 ppm, vilket möjliggör automatisk icke-linjär felkorrigering över ett brett område (1%–120% Un).

• Termostatisk oljeimmersions temperaturkontrollsystem
  • Fyllt med högstadig syntetisk esterisoleringsoil (termisk utvidgningskoefficient <100 ppm/°C).
  • Trestegs halvledartemperaturkontroll:
  • Oljetemperaturprecision: 55±0.05°C (överträffar ±0.1°C krav)
  • Temperaturgradient: <0.3°C axiell variation över vindningar
  • Termisk tidskonstant >8 timmar; daglig drift <0.01°C.
• Ultra-Low TCR Kvartssubstrat Spänningsdelsresistorer
  • Resistiva element på smält kvartssubstrat (CTE=0.55 ppm/°C).
  • Lasertrimmade tunnfilm metallresistorer (NiCrAl-ally):
  • Temperaturkoefficient (TCR): <0.05 ppm/°C (testad genomsnitt)
  • Spänningskoefficient (VCR): <0.02 ppm/V
  • Årlig åldringstakt: <3 ppm

Ⅲ. Användningsområden
• Nationella metrologiinstituts spänningsstandarder
• Strömförsörjningsövervakning för chipstillverkningsutrustning (t.ex. etcher med 0.1nm-upplösning)
• Precisionscertifiering av magnetiska konfinementsströmförsörjningar i fusionsanläggningar
• Referensmätningar av resistivitet för nya halvledarmaterial