IGBT là gì?

IGBT là gì?

Định nghĩa IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được định nghĩa là một thiết bị bán dẫn kết hợp ưu điểm của MOSFET công suất và BJT công suất.

Cấu trúc

Cấu trúc IGBT bao gồm một lớp tiêm p+ bổ sung, giúp cải thiện hiệu suất so với PMOSFET.

Đặc tính chuyển mạch của IGBT

Chuyển mạch IGBT bao gồm thời gian bật và tắt riêng biệt, với các thời gian trễ và tăng/giảm cụ thể ảnh hưởng đến hiệu suất.

Latching Up

Latching up xảy ra khi IGBT vẫn ở trạng thái mở ngay cả sau khi điện áp cổng đã giảm, yêu cầu sử dụng các mạch commutation đặc biệt để tắt nó.

Ưu điểm

• Yêu cầu điện áp cổng thấp hơn

• Mất mát chuyển mạch thấp

• Yêu cầu mạch snubber nhỏ

• Độ kháng đầu vào cao

• Thiết bị điều khiển bằng điện áp

• Hệ số nhiệt độ của điện trở trạng thái ON là dương và nhỏ hơn PMOSFET, do đó có ít sự giảm điện áp và mất công trong trạng thái ON.

• Điều khiển dẫn điện được cải thiện nhờ bản chất hai cực

• Khu vực hoạt động an toàn tốt hơn

Nhược điểm

• Chi phí

• Vấn đề latching-up

• Thời gian tắt cao hơn so với PMOSFET