Τι είναι ένα IGBT;

Τι είναι ένα IGBT;

Ορισμός IGBT

Ένα Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ορίζεται ως ηλεκτρονικό συστηματικό που συνδυάζει τα πλεονεκτήματα των Power MOSFETs και των Power BJTs.

Δομή

Η δομή του IGBT περιλαμβάνει ένα επιπλέον επίπεδο p+ εγχύσεως, το οποίο ενισχύει την απόδοσή του σε σύγκριση με τα PMOSFETs.

Χαρακτηριστικά Στροφής IGBT

Η στροφή του IGBT περιλαμβάνει σαφή χρονικά διαστήματα για την ενεργοποίηση και την απενεργοποίηση, με συγκεκριμένα χρονικά διαστήματα καθυστέρησης και ανόδου/κατόδου που επηρεάζουν την απόδοση.

Εγκλωβισμός

Ο εγκλωβισμός συμβαίνει όταν το IGBT παραμένει ενεργό ακόμη και μετά τη μείωση της τάσης του πύλης, απαιτώντας ειδικά κύκλωμα συμμεταβολής για να το απενεργοποιήσει.

Πλεονεκτήματα

• Χαμηλότερες απαιτήσεις οδηγητή πύλης

• Χαμηλές απώλειες στροφής

• Μικρές απαιτήσεις για κύκλωμα snubber

• Υψηλή εισόδια αντίσταση

• Συστηματικό υπό έλεγχο τάσης

• Η θερμοκρασιακή συντελεστής της αντίστασης σε κατάσταση ON είναι θετική και μικρότερη από το PMOSFET, άρα μικρότερη πτώση τάσης και απώλεια ενέργειας σε κατάσταση ON.

• Ενισχυμένη συγκεκριμένη ανάλυση λόγω της διπολικής φύσης

• Καλύτερη Περιοχή Ασφαλούς Λειτουργίας

Μειονεκτήματα

• Κόστος

• Πρόβλημα εγκλωβισμού

• Υψηλότερο χρονικό διάστημα απενεργοποίησης σε σύγκριση με το PMOSFET