IGBT란?
IGBT의 정의
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 전력 MOSFET와 전력 BJT의 장점을 결합한 반도체 소자입니다.
구조
IGBT 구조는 PMOSFET보다 성능을 향상시키는 추가적인 p+ 주입층을 포함하고 있습니다.
IGBT의 스위칭 특성
IGBT 스위칭은 특정 지연 시간 및 상승/하강 시간이 성능에 영향을 미치는 명확한 켜짐과 끄짐 시간을 포함합니다.

락업 현상
락업 현상은 게이트 전압이 감소한 후에도 IGBT가 계속 켜져 있는 상태를 말하며, 이를 끄기 위해서는 특수한 교환 회로가 필요합니다.
장점
낮은 게이트 드라이브 요구 사항
낮은 스위칭 손실
작은 스너버 회로 요구 사항
높은 입력 임피던스
전압 제어 소자
온 상태 저항의 온도 계수는 PMOSFET보다 양수이고 작으므로, 온 상태 전압 강하와 전력 손실이 적습니다.
양극성으로 인한 향상된 전도성
더 나은 안전 운용 영역
단점
비용
락업 문제
PMOSFET에 비해 긴 꺼짐 시간