Vad är en IGBT?

Vad är en IGBT?

IGBT-definition

En isoleradgatbipolärtransistor (IGBT) definieras som en halvledarapparat som kombinerar fördelarna med Power MOSFET och Power BJT.

Struktur

IGBT-strukturen inkluderar en ytterligare p+ injektionslager, vilket förbättrar dess prestanda jämfört med PMOSFET.

IGBT:s växlingskarakteristika

IGBT-växling involverar tydliga tider för in- och utslagning, med specifika fördröjningar och stigande/sinkande tider som påverkar prestandan.

Låsning

Låsning inträffar när IGBT stannar på även efter att gatvoltage har minskat, vilket kräver särskilda kommutationskretsar för att stänga av den.

Fördelar

• Lägre gatdrivkrav

• Låga växlingsförluster

• Små snubberkretsbehov

• Hög ingångsimpedans

• Spänningsstyrd apparat

• Temperaturkoefficienten för ON-tillståndets resistans är positiv och mindre än PMOSFET, vilket ger lägre spänningssänkning och effektförlust i ON-tillstånd.

• Förbättrad ledning tack vare bipolär natur

• Bättre säker driftområde

Nackdelar

• Kostnad

• Låsningsproblem

• Lång utslagnings tid jämfört med PMOSFET