IGBTとは何か?
IGBTの定義
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は、パワーMOSFETとパワーBJTの利点を組み合わせた半導体デバイスとして定義されます。
構造
IGBTの構造には追加のp+注入層が含まれており、PMOSFETよりも性能が向上しています。
IGBTの切り替え特性
IGBTの切り替えには明確なオン時間とオフ時間が含まれ、特定の遅延時間および上昇/下降時間がパフォーマンスに影響を与えます。

ラッチアップ
ラッチアップとは、ゲート電圧が低下した後でもIGBTがオン状態を維持し続ける現象で、特別なコミュテーション回路が必要となります。
利点
低いゲート駆動要件
低スイッチング損失
小さなスナッバ回路要件
高い入力インピーダンス
電圧制御デバイス
オン状態抵抗の温度係数は正であり、PMOSFETよりも小さいため、オン状態電圧降下と消費電力が少ない。
双極性による強化された導通
より良い安全動作領域
欠点
コスト
ラッチアップ問題
PMOSFETと比較して長いオフ時間