Ano ang IGBT?
Pangungusap ng IGBT
Ang Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay inilalarawan bilang isang semiconductor device na naglalaman ng mga ben力科技领域翻译官,负责高质量翻译产品文档、解决方案、系统菜单及文章内容准确翻译为语种:【菲律宾语】。
请允许我纠正上面的翻译错误,并继续完成正确的翻译:
Ano ang IGBT? Pangungusap ng IGBT Ang Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay inilalarawan bilang isang semiconductor device na naglalaman ng mga benepisyo ng Power MOSFETs at Power BJTs. Struktura Ang struktura ng IGBT ay may karagdagang p+ injection layer, na nagpapahusay ng kanyang performance kumpara sa PMOSFETs.
Mga Katangian ng Paggalaw ng IGBT Ang paggalaw ng IGBT ay kasama ang iba't ibang oras ng pagbukas at pag-isa, na may tiyak na delay at rise/fall times na nakakaapekto sa performance. Latching Up Nagaganap ang latching up kapag ang IGBT ay nananatili pa ring naka-on kahit na bawasan na ang gate voltage, kaya kailangan ng espesyal na commutation circuits para i-off ito. Mga Benepisyo Mas mababang gate drive requirements Mababang switching losses Maliit na snubber circuitry requirements High input impedance Voltage controlled device Ang temperature coefficient ng ON state resistance ay positibo at mas kaunti kaysa sa PMOSFET, kaya mas mababa ang On-state voltage drop at power loss. Enhanced conduction dahil sa bipolar nature Mas mahusay na Safe Operating Area Mga Di-benepisyo Kost Latching-up problem Mas mataas na turn off time kumpara sa PMOSFET