O que é um IGBT?
Definição de IGBT
Um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) é definido como um dispositivo semicondutor que combina as vantagens dos MOSFETs de potência e dos BJT de potência.
Estrutura
A estrutura do IGBT inclui uma camada adicional de injeção p+, o que melhora seu desempenho em comparação com os PMOSFETs.
Características de Comutação do IGBT
A comutação do IGBT envolve tempos distintos de ligar e desligar, com tempos específicos de atraso e subida/queda que afetam o desempenho.

Travamento
O travamento ocorre quando o IGBT permanece ligado mesmo após a redução da tensão na porta, necessitando de circuitos de comutação especiais para desligá-lo.
Vantagens
Requisitos de acionamento da porta mais baixos
Baixas perdas de comutação
Requisitos de circuitos amortecedores menores
Alta impedância de entrada
Dispositivo controlado por tensão
O coeficiente de temperatura da resistência no estado ON é positivo e menor que o do PMOSFET, resultando em menor queda de tensão e perda de potência no estado ON.
Condução melhorada devido à natureza bipolar
Melhor Área de Operação Segura
Desvantagens
Custo
Problema de travamento
Tempo de desligamento maior em comparação com o PMOSFET