Mi az IGBT?

Mi az IGBT?

IGBT definíció

Az izolált átjáró bipoláris tranzisztor (IGBT) olyan szemiconducens eszköz, amely kombinálja a hőerősített PMOSFET és a hőerősített PBJT előnyeit.

Struktúra

Az IGBT struktúrában egy további p+ injekciós réteg található, ami növeli a teljesítményét a PMOSFET-hez képest.

Az IGBT kapcsoló jellemzői

Az IGBT kapcsolása különböző be- és kikapcsolási időket tartalmaz, ahol a késleltetési és emelkedési/lejtőzési idők hatással vannak a teljesítményre.

Ragadás

A ragadás akkor fordul elő, ha az IGBT akkor is be van kapcsolva, még miután a kapukon történő feszültséget csökkentették, speciális kommutációs áramkörrel kell kikapcsolni.

Előnyök

• Alacsonyabb kapukon történő vezérlési igény

• Alacsony kapcsoló veszteségek

• Kis snubber áramkör igényei

• Magas bemeneti ellenállás

• Feszültség-vezérelt eszköz

• A bekapcsolt állapotú ellenállás hőmérsékleti együtthatója pozitív és kisebb, mint a PMOSFET-nél, így kevesebb bekapcsolt állapotú feszültség-lehullás és teljesítményveszteség.

• Növekedett vezetés a bipoláris természet miatt

• Jobb biztonságos működési terület

Hátrányok

• Ár

• Ragadási probléma

• Hosszabb kikapcsolási idő, mint a PMOSFET-hez képest