Cos'è un IGBT?
Definizione di IGBT
Un Transistor Bipolare a Griglia Isolata (IGBT) è definito come un dispositivo semiconduttore che combina i vantaggi dei MOSFET di potenza e dei BJT di potenza.
Struttura
La struttura dell'IGBT include un ulteriore strato di iniezione p+, che ne migliora le prestazioni rispetto ai PMOSFET.
Caratteristiche di commutazione dell'IGBT
La commutazione dell'IGBT prevede tempi distinti di accensione e spegnimento, con tempi di ritardo e salita/cespita specifici che influiscono sulle prestazioni.

Bloccaggio
Il bloccaggio si verifica quando l'IGBT rimane acceso anche dopo che la tensione alla griglia è stata ridotta, richiedendo circuiti di commutazione speciali per spegnerlo.
Vantaggi
Requisiti di pilotaggio della griglia inferiori
Basse perdite di commutazione
Esigenze ridotte per la snubber circuitry
Alta impedenza d'ingresso
Dispositivo controllato a tensione
Il coefficiente di temperatura della resistenza nello stato ON è positivo e inferiore a quello del PMOSFET, quindi minore caduta di tensione e perdita di potenza nello stato ON.
Conduzione migliorata grazie alla natura bipolare
Migliore Area di Operatività Sicura
Svantaggi
Costo
Problema di bloccaggio
Tempo di spegnimento più lungo rispetto al PMOSFET