Que é un IGBT?
Que é un IGBT?
Definición de IGBT
Un Transistor Bipolar de Porta Aislada (IGBT) defínese como un dispositivo semiconductor que combina as vantaxes dos Power MOSFETs e os Power BJTs.
Estrutura
A estrutura do IGBT inclúe unha capa adicional de inxectación p+, que mellora o seu rendemento en comparación cos PMOSFETs.
Características de conmutación do IGBT
A conmutación do IGBT implica tempos de encendido e apagado distintos, con tempos específicos de retardo e subida/baixada que afectan ao rendemento.
Bloqueo
O bloqueo ocorre cando o IGBT permanece encendido incluso despois de reducirse a tensión da porta, requirindo circuitos de conmutación especiais para apagalo.
Vantaxes
Requisitos de conducción da porta máis baixos
Baixas perdas de conmutación
Pequenas necesidades de circuitos amortiguadores
Alta impedancia de entrada
Dispositivo controlado por tensión
O coeficiente de temperatura da resistencia no estado ON é positivo e menor que o dos PMOSFET, polo que hai unha caída de tensión no estado ON e unha perda de potencia menores.
Conducción mellorada debido á súa natureza bipolar
Melhor Área de Funcionamento Seguro
Desvantaxes
Custo
Problema de bloqueo
Tempo de apagado maior en comparación co PMOSFET
