Que é un IGBT?

Que é un IGBT?

Definición de IGBT

Un Transistor Bipolar de Porta Aislada (IGBT) defínese como un dispositivo semiconductor que combina as vantaxes dos Power MOSFETs e os Power BJTs.

Estrutura

A estrutura do IGBT inclúe unha capa adicional de inxectación p+, que mellora o seu rendemento en comparación cos PMOSFETs.

Características de conmutación do IGBT

A conmutación do IGBT implica tempos de encendido e apagado distintos, con tempos específicos de retardo e subida/baixada que afectan ao rendemento.

Bloqueo

O bloqueo ocorre cando o IGBT permanece encendido incluso despois de reducirse a tensión da porta, requirindo circuitos de conmutación especiais para apagalo.

Vantaxes

• Requisitos de conducción da porta máis baixos

• Baixas perdas de conmutación

• Pequenas necesidades de circuitos amortiguadores

• Alta impedancia de entrada

• Dispositivo controlado por tensión

• O coeficiente de temperatura da resistencia no estado ON é positivo e menor que o dos PMOSFET, polo que hai unha caída de tensión no estado ON e unha perda de potencia menores.

• Conducción mellorada debido á súa natureza bipolar

• Melhor Área de Funcionamento Seguro

Desvantaxes

• Custo

• Problema de bloqueo

• Tempo de apagado maior en comparación co PMOSFET