Ano ang IGBT?
Pahayag ng IGBT
Ang Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay isang semiconductor device na naglalabas ng mga adhikain ng Power MOSFETs at Power BJTs.
Struktura
Ang struktura ng IGBT ay may dagdag na p+ injection layer, na nagpapataas ng kanyang performance kumpara sa PMOSFETs.
Switching Characteristics ng IGBT
Ang switching ng IGBT ay may malinaw na turn-on at turn-off times, kasama ang tiyak na delay at rise/fall times na nakakaapekto sa performance.

Latching Up
Nagaganap ang latching up kapag ang IGBT ay nananatili pa rin naka-on kahit na bawasan ang gate voltage, kaya kailangan ng espesyal na commutation circuits para ito i-turn off.
Mga Adhikain
Mas mababang gate drive requirements
Mababang switching losses
Maliit na snubber circuitry requirements
Mataas na input impedance
Voltage controlled device
Ang temperature coefficient ng ON state resistance ay positibo at mas mababa kaysa sa PMOSFET, kaya mas mababa ang On-state voltage drop at power loss.
Enhanced conduction dahil sa bipolar nature
Mas mahusay na Safe Operating Area
Mga Di-adhikain
Cost
Latching-up problem
Mas mataas na turn off time kumpara sa PMOSFET