Unsa ang IGBT?

Ano ang IGBT?

Pahayag ng IGBT

Ang Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay isang semiconductor device na naglalabas ng mga adhikain ng Power MOSFETs at Power BJTs.

Struktura

Ang struktura ng IGBT ay may dagdag na p+ injection layer, na nagpapataas ng kanyang performance kumpara sa PMOSFETs.

Switching Characteristics ng IGBT

Ang switching ng IGBT ay may malinaw na turn-on at turn-off times, kasama ang tiyak na delay at rise/fall times na nakakaapekto sa performance.

Latching Up

Nagaganap ang latching up kapag ang IGBT ay nananatili pa rin naka-on kahit na bawasan ang gate voltage, kaya kailangan ng espesyal na commutation circuits para ito i-turn off.

Mga Adhikain

• Mas mababang gate drive requirements

• Mababang switching losses

• Maliit na snubber circuitry requirements

• Mataas na input impedance

• Voltage controlled device

• Ang temperature coefficient ng ON state resistance ay positibo at mas mababa kaysa sa PMOSFET, kaya mas mababa ang On-state voltage drop at power loss.

• Enhanced conduction dahil sa bipolar nature

• Mas mahusay na Safe Operating Area

Mga Di-adhikain

• Cost

• Latching-up problem

• Mas mataas na turn off time kumpara sa PMOSFET