Qu'est-ce qu'un IGBT?

Qu'est-ce qu'un IGBT ?

Définition de l'IGBT

Un Transistor Bipolaire à Grille Isolée (IGBT) est défini comme un dispositif semi-conducteur qui combine les avantages des MOSFET de puissance et des TBJ de puissance.

Structure

La structure de l'IGBT comprend une couche d'injection p+ supplémentaire, ce qui améliore ses performances par rapport aux PMOSFET.

Caractéristiques de commutation de l'IGBT

La commutation de l'IGBT implique des temps d'activation et de désactivation distincts, avec des temps de retard et de montée/descente spécifiques affectant les performances.

Verrouillage

Le verrouillage se produit lorsque l'IGBT reste allumé même après la réduction de la tension de la grille, nécessitant des circuits de commutation spéciaux pour le désactiver.

Avantages

• Exigences de pilotage de la grille plus faibles

• Faibles pertes de commutation

• Petites exigences en matière de circuit d'amortissement

• Impédance d'entrée élevée

• Dispositif contrôlé par la tension

• Le coefficient de température de la résistance en état ON est positif et inférieur à celui du PMOSFET, ce qui entraîne une chute de tension et une perte de puissance en état ON moindres.

• Conduction améliorée en raison de sa nature bipolaire

• Meilleure zone de fonctionnement sûre

Inconvénients

• Coût

• Problème de verrouillage

• Temps de désactivation plus long que celui du PMOSFET