Wat is een IGBT?

Wat is een IGBT?

IGBT-definitie

Een geïsoleerde poort bipolaire transistor (IGBT) wordt gedefinieerd als een halfgeleiderapparaat dat de voordelen van kracht-MOSFETs en kracht-BJTs combineert.

Structuur

De structuur van de IGBT bevat een extra p+ injectielayer, wat de prestaties ten opzichte van PMOSFETs verbetert.

Schakelkenmerken van IGBT

Het schakelen van een IGBT omvat duidelijke inschakel- en uitschakeltijden, met specifieke vertragingstijden en stijgings/daaltijden die de prestaties beïnvloeden.

Latching Up

Latching up treedt op wanneer de IGBT blijft ingeschakeld zelfs nadat de poortspanning is verminderd, waardoor speciale commutatiecircuits nodig zijn om het uit te schakelen.

Voordelen

• Lagere poortaandrijfvereisten

• Lage schakelverliezen

• Kleine snubber-circuitvereisten

• Hoge ingangsimpedantie

• Spanningsgestuurd apparaat

• Temperatuurcoëfficiënt van de ON-toestandswaarde is positief en kleiner dan bij PMOSFET, dus minder ON-toestandsval en vermogensverlies.

• Verbeterde geleiding door bipolaire aard

• Beter Veilig Werkgebied

Nadelen

• Kosten

• Latching-up probleem

• Langere uitschakeltijd vergeleken met PMOSFET