რა არის IGBT?

რა არის IGBT?

IGBT-ის განმარტება

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) არის სემიქონდუქტორული მოწყობილობა, რომელიც კომბინირებს ძალის მოსკით დაკავშირებული ტრანზისტორების (Power MOSFETs) და ძალის ბიპოლარული ტრანზისტორების (Power BJTs) სარგებელს.

სტრუქტურა

IGBT-ის სტრუქტურა შეიცავს დამატებით პლუს ინჟექციის ფერდაფერს, რაც უზრუნველყოფს მას PMOSFET-ებზე უკეთეს პერფორმანსს.

IGBT-ის ჩართვის ხარატერისტიკები

IGBT-ის ჩართვა ინკლუდირებს განსხვავებულ ჩართვის და გათიშვის დროს, რომელიც მას კონკრეტული დელაის და აღმოსავლის/დაქვეითების დროებით ახასიათებს პერფორმანსში.

გადაჭრის დეფექტი

გადაჭრა ხდება, როდესაც IGBT რჩება ჩართული მიუხედავად გათიშვის დამრტყმევი დახურვის შემდეგ, რითაც გადაჭრის გათიშვა სპეციალური კომუტაციის ცქიებით ხდება.

სარგებელები

• დაბალი გათიშვის მოთხოვნები

• დაბალი ჩართვის დანაკლება

• პატარი სნაბერის ცქის მოთხოვნები

• მაღალი შეყვანის იმპედანსი

• დარჩენის მოწყობილობა

• ტემპერატურის კოეფიციენტი ჩართული მდგომარეობის რეზისტანცია დადებითია და ნაკლები არის PMOSFET-ზე, რითაც დარჩენის ვოლტაჟის დარჩენა და დანაკლება ნაკლებია.

• დამატებითი გადაცემა ბიპოლარული ბუნების გამო

• უკეთესი უსაფრთხო მოქმედების ზონა

დაზიანებები

• ღირებულება

• გადაჭრის პრობლემა

• მაღალი გათიშვის დრო შედარებით PMOSFET-ს გათიშვასთან