Ano ang IGBT?
Pagsasalaysay ng IGBT
Ang Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay isang semiconductor device na naglalabas ng mga pagpapabor ng Power MOSFETs at Power BJTs.
Struktura
Ang struktura ng IGBT ay may karagdagang p+ injection layer, na sumisiguro ng mas mahusay na performance kumpara sa PMOSFETs.
Mga Katangian ng Paggalaw ng IGBT
Ang paggalaw ng IGBT ay kasama ang tiyak na oras ng pagbukas at pag-sara, na may partikular na delay at rise/fall times na nakakaapekto sa performance.

Pag-lock
Ang pag-lock ay nangyayari kapag ang IGBT ay nananatiling bukas kahit na ibaba na ang gate voltage, kaya kailangan ng espesyal na commutation circuits upang ito ay maitigil.
Mga Pagpapabor
Mas mababang gate drive requirements
Mababang switching losses
Maliit na snubber circuitry requirements
Mataas na input impedance
Voltage controlled device
Ang temperature coefficient ng ON state resistance ay positibo at mas kaunti kaysa sa PMOSFET, kaya mas mababa ang On-state voltage drop at power loss.
Enhanced conduction dahil sa bipolar nature
Mas mahusay na Safe Operating Area
Mga Di-pagpapabor
Kostong
Latching-up problem
Mas mataas na turn off time kumpara sa PMOSFET