Apakah IGBT?

Apakah IGBT?

Definisi IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ditakrifkan sebagai peranti semikonduktor yang menggabungkan kelebihan Power MOSFET dan Power BJT.

Struktur

Struktur IGBT termasuk lapisan injeksi p+ tambahan, yang meningkatkan prestasinya berbanding PMOSFET.

Ciri Peralihan IGBT

Peralihan IGBT melibatkan masa penyalinan dan penutupan yang berbeza, dengan masa jeda dan masa naik/turun tertentu yang mempengaruhi prestasi.

Latching Up

Latching up berlaku apabila IGBT tetap hidup walaupun voltan gerbang telah dikurangkan, memerlukan litar komutasi khas untuk mematikannya.

Kelebihan

• Syarat penggerak gerbang yang lebih rendah

• Kehilangan peralihan yang rendah

• Syarat rangkaian snubber yang kecil

• Impedans input yang tinggi

• Peranti yang dikawal oleh voltan

• Koefisien suhu rintangan dalam keadaan ON adalah positif dan kurang daripada PMOSFET, oleh itu jatuh voltan dan kehilangan kuasa dalam keadaan ON lebih rendah.

• Konduksi yang ditingkatkan disebabkan sifat bipolar

• Kawasan Operasi Selamat yang lebih baik

Kekurangan

• Kos

• Masalah latching-up

• Masa penutupan yang lebih tinggi berbanding PMOSFET