12kV სოლიდურად იზოლირებული რგოლით მთავარი ერთეულების ტემპერატურის აღმოცემის კვლევა და ოპტიმიზაცია
თვითდატვირთული იზოლირებული წრეუბნობის მოწყობილობა (RMU) არის ახალი განაწილების მოწყობილობა, რომელიც შეიცავს გარე თვითდატვირთულ იზოლირებას, იზოლირებულ მთავარ ქსელს და კომპაქტური კომბინირებული ერთეულის ტექნოლოგიას. მისი კლაპანები და მაღალდარგიანი ელექტროშემუშავებული ელემენტები სრულიად ჩამოყალიბებულია ეპოქსიდურ რეზინაში, რომელიც ფუნქციონირებს ძირითად იზოლირებას როგორც მაღალდარგიანი ელემენტების და მიწას შორის, ასევე ფაზებს შორის. SF₆ აირის იზოლირებული მოწყობილობების ეკოლოგიურად კარგი ალტერნატივა როგორც 12kV თვითდატვირთული RMU, მაგრამ ეს მოწყობილობა ისევ აქვს დაბრკოლებები თერმოდისიპაციის მცირე ხარისხით.
შესწავლილ 12kV თვითდატვირთული RMU-ში მთავარი შემართვის წრეები ჩამოყალიბებულია ეპოქსიდურ და სილიკონის რეზინაში. რეჟიმის კლაპანი იყენებს ჰაერის იზოლირებას, მაგრამ ის მდებარეობს ექსტრემალურად შეზღუდულ, დახურულ სივრცეში და აქვს დაბრკოლებები თერმოდისიპაციის მცირე ხარისხით. ეს ხდის მას მაღალი ტემპერატურის ზრდის ლიმიტების შესაძლო შემცირებას. დიდი ხანგრძლივობით მაღალი ტემპერატურის ქვეშ მყოფი მოწყობილობის დამზადების მასალები შეიძლება დეფორმირდეს და თერმოსახედრის მიმართ დაძველდეს. ეს დეგრადაცია შემცირებს პროდუქტის იზოლირების ხარისხს, რით იწვევს საერთო პროდუქტის ხარისხის და ნდობის დარღვევას. სევრიული შემთხვევებში ეს შეიძლება გამოიწვიოს ელექტროტექნიკური ავარიის გამოწვევა, რაც დაშორებს ნორმალურ მოქმედებას.
ტემპერატურის ზრდის პრობლემის შესამცირებლად და მის კრიტიკულ მნიშვნელობას შესაბამისად, ეს გახდა საკუთარი კვლევის ფოკუსი. სტრუქტურული ოპტიმიზაციები უყურებდნენ ტემპერატურის ზრდის მარჯვენა ზრდას, რათა დარწმუნდებით პროდუქტის გრძელვადიან სტაბილური მოქმედების. თვითდატვირთული RMU-ს იზოლირება მთავარად იყენებს ჰაერის და სოლიდური იზოლირების კომბინაციას. პროტოტიპი დანაწინარებული დიზაინზე გაიარა ტემპერატურის ზრდის კვლევის ტესტი. კლუჩნის ტესტის მთავარი მონაცემები ჩამოთვლილია ცხრილში 1-ში.
|
№ |
ზომის წერტილის მდებარეობა |
სტანდარტი (K) |
ეკვილიბრირებული ტემპერატურა (°C) |
ტემპერატურის ზრდა (K) |
სტანდარტიდან მარჯვენა (K) |
შენიშვნა |
|
1 |
A-ფაზის დაკლაპანების ნახევარი |
65.0 |
86.1 |
73.0 |
-8.0 |
შემეცარა |
|
2 |
A-ფაზის დაკლაპანების წვერი |
65.0 |
78.2 |
65.1 |
-1.1 |
შემეცარა |
|
3 |
B-ფაზის დაკლაპანების ნახევარი |
65.0 |
86.4 |
73.3 |
-8.3 |
შემეცარა |
|
4 |
B-ფაზის დაკლაპანების წვერი |
65.0 |
88.0 |
74.9 |
-9.9 |
შემეცარა |
|
5 |
C-ფაზის დაკლაპანების ნახევარი |
65.0 |
80.6 |
67.5 |
-2.5 |
შემეცარა |
|
6 |
C-ფაზის დაკლაპანების წვერი |
65.0 |
81.6 |
68.5 |
-3.5 |
შემეცარა |
ცხრილი 1-ში ჩამოთვლილი ტესტი ტემპერატურის ზრდის შესახებ პროტოტიპზე დანაწინარებული დიზაინზე გამოაჩინა მნიშვნელოვანი შემეცარება დაკლაპანების ნახევრებისა და წვერების მდებარეობაში. ამ პრობლემის გადაჭრისთვის მიმართული იყო შემდეგი ორი ასპექტი:
- მაგნეტო-თერმალური კუპლირების სიმულაცია (ANSOFT-ის გამოყენებით): შესაძლებელია შეადგინოთ მაგნეტო-თერმალური კუპლირების სიმულაცია რათა შეუძლია შეუსაბამებელი კონტაქტის მეთოდების, არარეგულარული კონდუქტორების ფორმის და კონდუქტირების სიდიდის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კროს-სექციის უნიკალური კ......
