
II. স্যাচুরেটেড রিএক্টর ভিত্তিক সিরিজ রেজোন্যান্ট FCL
|
প্রভাবক |
মূল সিদ্ধান্ত |
টাইপিক্যাল সিমুলেশন ডাটা (উদাহরণ) |
|
১. অস্যাচুরেটেড ইনডাক্টেন্স LB1 |
LB1 বাড়ালে ক্যাপাসিটরের অভিবাহি ভোল্টেজ বেশি হ্রাস পায়, কিন্তু শর্ট-সার্কিট স্ট্রোমের উপর তেমন প্রভাব নেই; প্রভাব স্যাচুরেট হয়। |
LB1=১৩১৭mH: ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ২৭০kV; LB1=১৩২১mH: ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ১৫৭kV (৪২% হ্রাস) |
|
২. স্যাচুরেটেড ইনডাক্টেন্স LB2 |
একটি আদর্শ পরিসর রয়েছে (১-৭mH)। খুব ছোট হলে সীমিত করা খারাপ, খুব বড় হলে ক্যাপাসিটরের অভিবাহি ভোল্টেজ বেশি হয়। |
LB2=৭mH (C=৫০৭μF, L=২০mH): শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ২৫kA, ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ১৫৭kV |
|
৩. C/L প্যারামিটার সমন্বয় |
শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম এবং ক্যাপাসিটরের অভিবাহি ভোল্টেজ উভয়কে নিয়ন্ত্রণ করার জন্য একটি আদর্শ সমন্বয় রয়েছে। |
আদর্শ সমন্বয় (C=৪০৬μF, L=২৫mH): শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ২২kA, ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ১৪২kV |
|
৪. শর্ট-সার্কিট ইনসেপশন কোণ |
ট্রানসিয়েন্ট বৈশিষ্ট্য ফেজ কোণের উপর বেশি প্রভাবিত; ০°/১৮০° সবচেয়ে গুরুতর অভিবাহি ভোল্টেজ; ডিজাইনে সবচেয়ে খারাপ ক্ষেত্র বিবেচনা করতে হবে। |
০° ফেজ: শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ১৮kA, ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ২০১kV; ৯০° ফেজ: শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ২২kA, ক্যাপাসিটর ভোল্টেজ ১৪২kV |
III. ZnO আর্স্টার ভিত্তিক সিরিজ রেজোন্যান্ট FCL
|
প্রভাবক |
মূল সিদ্ধান্ত |
টাইপিক্যাল সিমুলেশন ডাটা (উদাহরণ) |
|
১. আর্স্টার অবশিষ্ট ভোল্টেজ এবং C/L সমন্বয় |
ক্যাপাসিটরের অভিবাহি ভোল্টেজ সীমিত করা সহজ, কিন্তু L বাড়ালে শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম কমানোর চেষ্টা করলে সিরিজ রিএক্টরের উপর অতিরিক্ত ভোল্টেজ হয়। |
C=২৫৪μF, L=৪০mH: শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ২০kA, রিএক্টর ভোল্টেজ ২৪৬kV; C=৫০৭μF, L=২০mH: শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ৩৫kA, রিএক্টর ভোল্টেজ ১৭৩kV |
|
২. শর্ট-সার্কিট ইনসেপশন কোণ |
ট্রানসিয়েন্ট বৈশিষ্ট্য শর্ট-সার্কিট ফেজ কোণের উপর বেশি প্রভাবিত নয়, শুধু স্ট্রোমের পরিমাণে প্রভাব পড়ে; ৯০° সবচেয়ে বেশি স্ট্রোম। |
৯০° ফেজ (C=৫০৭μF, L=২০mH): শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ৩৫kA; ০° ফেজ: শর্ট-সার্কিট স্ট্রোম ২৮kA |
IV. দুটি FCL পরিকল্পনার সম্পূর্ণ তুলনা