
II. Saturasyonlu Reaktör Tabanlı Serili Rezonanslı FCL
|
Etkileyen Faktör |
Ana Sonuç |
Tipik Simülasyon Verileri (Örnek) |
|
1. Doyumsuz Endüktans LB1 |
LB1'in artırılması, kondansatör üzerindeki aşırı gerilimi önemli ölçüde azaltır, ancak kısa devre akımına pek etkisi yoktur; etki doygunlaşır. |
LB1=1317mH: Kondansatör gerilimi 270kV; LB1=1321mH: Kondansatör gerilimi 157kV (42% azalma) |
|
2. Doyumlu Endüktans LB2 |
Optimal bir aralık vardır (1-7mH). Çok küçük olması sınırlama performansını azaltırken, çok büyük olması kondansatör üzerinde aşırı gerilime neden olur. |
LB2=7mH (C=507μF, L=20mH): Kısa devre akımı 25kA, Kondansatör gerilimi 157kV |
|
3. C/L Parametre Koordinasyonu |
Kısa devre akımını ve kondansatör üzerindeki aşırı gerilimi kooperatif olarak kontrol etmek için optimal bir kombinasyon vardır. |
Optimal kombinasyon (C=406μF, L=25mH): Kısa devre akımı 22kA, Kondansatör gerilimi 142kV |
|
4. Kısa Devre Başlangıç Açısı |
Geçişi karakteristikleri faz açısına oldukça duyarlıdır; en ciddi aşırı gerilim 0°/180° de görülür; tasarım en kötü durumu göz önünde bulundurmalıdır. |
0° faz: Kısa devre akımı 18kA, Kondansatör gerilimi 201kV; 90° faz: Kısa devre akımı 22kA, Kondansatör gerilimi 142kV |
III. ZnO Absorber Tabanlı Serili Rezonanslı FCL
|
Etkileyen Faktör |
Ana Sonuç |
Tipik Simülasyon Verileri (Örnek) |
|
1. Absorber Kalıntı Gerilimi & C/L Koordinasyonu |
Kondansatör üzerindeki aşırı gerilimi sınırlamak kolaydır, ancak L'yi arttırmak ve daha düşük kısa devre akımı elde etmek, seri reaktör üzerinde aşırı gerilime neden olur. |
C=254μF, L=40mH: Kısa devre akımı 20kA, Reaktör gerilimi 246kV; C=507μF, L=20mH: Kısa devre akımı 35kA, Reaktör gerilimi 173kV |
|
2. Kısa Devre Başlangıç Açısı |
Geçişi karakteristikleri, kısa devre faz açısına duyarlı değildir, sadece akım büyüklüğünü etkiler; maksimum akım 90° de görülür. |
90° faz (C=507μF, L=20mH): Kısa devre akımı 35kA; 0° faz: Kısa devre akımı 28kA |
IV. İki FCL Şemasının Kapsamlı Karşılaştırması
|
Karşılaştırma Boyutu |
Saturasyonlu Reaktör Tabanlı FCL |
ZnO Absorber Tabanlı FCL |
|
Temel Avantaj |
Üstün akım sınırlama etkisi; parametre optimizasyonu yoluyla kısa devre akımı ve bileşen aşırı gerilimi arasında iyi bir denge sağlanabilir. |
Kondansatör üzerindeki aşırı gerilimi kolayca sınırlama; geçiş karakteristikleri kısa devre faz açısına duyarlı değildir; daha basit tasarım. |
|
Temel Sınırlama |
Çekirdek histeresis karakteristiklerinin ve C/L parametrelerinin hassas optimizasyonu gereklidir; kondansatör üzerindeki aşırı gerilimi kontrol etmek zordur; kısa devre faz açısı tarafından önemli ölçüde etkilenebilir. |
Düşük kısa devre akımı hedeflenirken seri reaktör üzerinde belirgin bir aşırı gerilim sorunu; L değeri sıkı bir şekilde kontrol edilmelidir. |
|
Ana Parametre Gereksinimi |
Optimal eşdeğer doyumlu endüktans LB2 yaklaşık 1/3 kapasitif reaktans olmalıdır. |
Seri reaktör endüktans değeri çok büyük olmamalıdır. |
|
Uygulanabilir Senaryo Tercihi |
Yüksek akım sınırlama performansı gereken yüksek gerilimli şebekelerde (örneğin 110kV) orta-düşük gerilim seviyeleri için uygundur. |
Kondansatör üzerindeki aşırı gerilime hassas olan ve ortalama kısa devre akımı sınırlama gereksinimleri olan senaryolar için uygundur. |
|
Ortak Özellikler |
1. Basit yapı: Tamamen geleneksel elektrik bileşenlerden oluşur, karmaşık kontrol gerekmemektedir; |
V. Sonuç
Bu çalışma, geleneksel bileşenlere dayalı iki yenilikçi serili rezonanslı hata akımı sınırlayıcı çözümü önererek, geleneksel süperiletken ve güç elektronik FCL'lerin teknik ve ekonomik engellerini başarıyla aşmıştır.