
Ⅰ. तकनीकी चुनौतियों का विश्लेषण
पारंपरिक GIS (गैस-इनसुलेटेड स्विचगियर) वोल्टेज ट्रांसफार्मर जटिल ग्रिड परिवेश में दो मुख्य समस्याओं का सामना करते हैं:
फील्ड डेटा दर्शाता है: चरम परिस्थितियों में पारंपरिक उपकरण 0.5 वर्ग की मापन त्रुटियों को प्रदर्शित कर सकते हैं, जिसकी वार्षिक विफलता दर 3% से अधिक होती है।
II. मुख्य तकनीकी ऑप्टिमाइजेशन समाधान
(1) नैनो-कंपोजिट इनसुलेशन प्रणाली का अपग्रेड
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तकनीकी मॉड्यूल |
लागू करने के बिंदु |
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नैनो इनसुलेशन सामग्री |
Al₂O₃-SiO₂ नैनो-कंपोजिट कोटिंग (कण आकार: 50-80nm) एपॉक्सी रेजिन सतह पर ट्रैकिंग प्रतिरोध को ≥35% बढ़ाने के लिए उपयोग किया जाता है। |
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हाइब्रिड गैस ऑप्टिमाइजेशन |
SF₆/N₂ (80:20) मिश्रण भरवाना, द्रवीकरण तापमान -45°C तक कम करना और रिसाव के जोखिम को 40% तक कम करना। |
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उन्नत सीलिंग डिजाइन |
धातु बेलोस डुअल-सील संरचना + लेजर वेल्डिंग प्रक्रिया, रिसाव दर ≤ 0.1%/वर्ष (IEC 62271-203 मानक)। |
तकनीकी प्रमाणित: 150kV विद्युत आवृत्ति धारण वोल्टेज परीक्षण और 1000 थर्मल चक्र पारित; आंशिक डिस्चार्ज स्तर ≤3pC।
(2) फुल-कंडीशन डिजिटल कंपेंसेशन सिस्टम
A[तापमान सेंसर] --> B(MCU कंपेंसेशन प्रोसेसर)
C[आवृत्ति मॉनिटरिंग मॉड्यूल] --> B(MCU कंपेंसेशन प्रोसेसर)
D[AD सैंपलिंग सर्किट] --> E(त्रुटि कंपेंसेशन एल्गोरिथ्म)
B(MCU कंपेंसेशन प्रोसेसर) --> E(त्रुटि कंपेंसेशन एल्गोरिथ्म)
E(त्रुटि कंपेंसेशन एल्गोरिथ्म) --> F[0.2 वर्ग मानक आउटपुट]
मुख्य एल्गोरिथ्म का लागू करना:
ΔUcomp=k1⋅ΔT+k2⋅Δf+k3⋅e−αt\Delta U_{comp} = k_1 \cdot \Delta T + k_2 \cdot \Delta f + k_3 \cdot e^{-\alpha t}ΔUcomp=k1⋅ΔT+k2⋅Δf+k3⋅e−αt
जहाँ:
वास्तविक समय में संशोधन प्रतिक्रिया समय <20ms; संचालन तापमान विस्तार -40°C ~ +85°C।
III. मात्रात्मक लाभ भविष्यवाणी
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मापदंड आइटम |
पारंपरिक समाधान |
यह तकनीकी समाधान |
ऑप्टिमाइजेशन विस्तार |
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मापन यथार्थता वर्ग |
वर्ग 0.5 |
वर्ग 0.2 |
↑150% |
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PD आरंभ वोल्टेज (PDIV) |
30kV |
≥50kV |
↑66.7% |
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डिजाइन जीवनकाल |
25 वर्ष |
>32 वर्ष |
↑30% |
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वार्षिक निरीक्षण आवृत्ति |
2 बार/वर्ष |
1 बार/वर्ष |
↓50% |
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लाइफसाइकल O&M लागत |
$180k/यूनिट |
$95k/यूनिट |
↓47.2% |
IV. तकनीकी प्रमाणित परिणाम
V. इंजीनियरिंग लागू करने का मार्ग