
Ⅰ. تحلیل چالشهای فنی
تبدیلکنندههای ولتاژ سنتی GIS (Switchgear عایقبندی شده با گاز) در محیطهای شبکه پیچیده با دو مشکل اصلی مواجه هستند:
دادههای میدانی نشان میدهد: دستگاههای سنتی میتوانند تحت شرایط حدی خطاهای اندازهگیری تا کلاس 0.5 داشته باشند، با نرخ خرابی سالانه بیش از 3%.
II. راهحلهای بهینهسازی فنی اصلی
(1) بهروزرسانی سیستم عایقبندی نانو-ترکیبی
|
ماژول فنی |
نقاط اجرا |
|
مواد عایقبندی نانو |
پوشش ترکیبی نانو Al₂O₃-SiO₂ (اندازه ذره: 50-80nm) برای افزایش مقاومت پیستاک سطح رزین اپوکسی به ≥35%. |
|
بهینهسازی گاز ترکیبی |
مخلوط SF₆/N₂ (80:20) برای پر کردن، کاهش دمای تبخیر به -45°C و کاهش خطر لکهدار شدن به 40%. |
|
طراحی پختهسازی بهبود یافته |
ساختار دوگانهپختهسازی زنگفرش + فرآیند لیزری، نرخ لکهدار شدن ≤ 0.1%/سال (استاندارد IEC 62271-203). |
اعتبارسنجی فنی: گذراندن آزمون تحمل ولتاژ توانی 150kV و 1000 چرخه حرارتی؛ سطح تخلیه جزئی ≤3pC.
(2) سیستم جبرانسازی دیجیتال تمام شرایط
A[حسگر دما] --> B(پردازنده جبرانسازی MCU)
C[ماژول نظارت بر فرکانس] --> B(پردازنده جبرانسازی MCU)
D[مدار نمونهبرداری AD] --> E(الگوریتم جبرانسازی خطا)
B(پردازنده جبرانسازی MCU) --> E(الگوریتم جبرانسازی خطا)
E(الگوریتم جبرانسازی خطا) --> F[خروجی استاندارد کلاس 0.2]
اجرای الگوریتم اصلی:
\Delta U_{comp} = k_1 \cdot \Delta T + k_2 \cdot \Delta f + k_3 \cdot e^{-\alpha t}
که:
زمان پاسخ جبرانسازی زنده <20ms؛ محدوده دمای عملیاتی به -40°C ~ +85°C گسترش یافته است.
III. پیشبینی سودمندی کمی
|
مورد معیار |
راهحل سنتی |
این راهحل فنی |
میزان بهینهسازی |
|
کلاس دقت اندازهگیری |
کلاس 0.5 |
کلاس 0.2 |
↑150% |
|
ولتاژ آغاز تخلیه جزئی (PDIV) |
30kV |
≥50kV |
↑66.7% |
|
عمر طراحی |
25 سال |
>32 سال |
↑30% |
|
فرکانس بازرسی سالانه |
2 بار/سال |
1 بار/سال |
↓50% |
|
هزینه حفاظت و نگهداری دوره زندگی |
$180k/واحد |
$95k/واحد |
↓47.2% |
IV. نتایج اعتبارسنجی فنی
V. مسیر اجرای مهندسی