
Ⅰ. تجزیه و تحلیل چالشهای فنی
تبدیلدهندههای ولتاژ سنتی GIS (Switchgear عایقگذاری شده با گاز) در محیطهای شبکه پیچیده با دو مشکل اصلی مواجه هستند:
دادههای میدانی نشان میدهد: دستگاههای سنتی میتوانند تحت شرایط شدید خطاهای اندازهگیری تا کلاس 0.5 داشته باشند و نرخ خرابی سالانه بیش از 3% باشد.
II. راهحلهای بهینهسازی فنی اصلی
(1) بهروزرسانی سیستم عایقبندی نانوکامپوزیت
|
ماژول فنی |
نقاط اجرا |
|
مواد عایقبندی نانو |
پوشش کامپوزیت نانو Al₂O₃-SiO₂ (اندازه ذرات: 50-80nm) برای افزایش مقاومت ردیابی سطح رزین اپوکسی به ≥35% استفاده میشود. |
|
بهینهسازی گاز ترکیبی |
مخلوط SF₆/N₂ (80:20) پر کردن، دمای تبخیر را به -45°C کاهش میدهد و خطر لکهگیری را 40% کاهش میدهد. |
|
طراحی بستهسازی افزایش یافته |
ساختار دوگانه بستهسازی زنگآویز فلزی + فرآیند لیزری، نرخ لکهگیری ≤ 0.1%/سال (استاندارد IEC 62271-203). |
اعتبارسنجی فنی: تست تحمل ولتاژ 150kV با فرکانس قدرت و 1000 دور حرارتی را عبور داد؛ سطح تخلیه جزئی ≤3pC.
(2) سیستم جبران دیجیتال تمام شرایط
A[سنسر دما] --> B(پردازنده جبران MCU)
C[ماژول نظارت بر فرکانس] --> B(پردازنده جبران MCU)
D[مدار نمونهبرداری AD] --> E(الگوریتم جبران خطا)
B(پردازنده جبران MCU) --> E(الگوریتم جبران خطا)
E(الگوریتم جبران خطا) --> F[خروجی استاندارد کلاس 0.2]
اجرای الگوریتم اصلی:
\Delta U_{comp} = k_1 \cdot \Delta T + k_2 \cdot \Delta f + k_3 \cdot e^{-\alpha t}\Delta U_{comp} = k_1 \cdot \Delta T + k_2 \cdot \Delta f + k_3 \cdot e^{-\alpha t}
که:
زمان پاسخ جبران در زمان حقیقی <20ms؛ محدوده دمای عملیاتی به -40°C ~ +85°C گسترش یافته است.
III. پیشبینی سودمندی کمّی
|
مورد اندازهگیری |
راهحل سنتی |
این راهحل فنی |
میزان بهینهسازی |
|
کلاس دقت اندازهگیری |
کلاس 0.5 |
کلاس 0.2 |
↑150% |
|
ولتاژ آغاز تخلیه جزئی (PDIV) |
30kV |
≥50kV |
↑66.7% |
|
عمر طراحی |
25 سال |
>32 سال |
↑30% |
|
فرکانس بازرسی سالانه |
2 بار/سال |
1 بار/سال |
↓50% |
|
هزینه عمر مفید (O&M) |
$180k/واحد |
$95k/واحد |
↓47.2% |
IV. نتایج اعتبارسنجی فنی
V. مسیر اجرای مهندسی