| Marke | Wone |
| Modellnummer | 580-605 Watt Einfachseitiges Modul mit Tunneloxid-Passivierungs-Kontakten (TOPcon) Technologie |
| Maximalleistung | 585Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Zertifizierungen
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Qualitätsmanagementsystem ·
ISO14001:2015: Umweltmanagementsystem ·
ISO45001:2018: Arbeitsschutzmanagementsystem.
Merkmale
N-Typ-Module mit Tunnel-Oxid-Passivierungs-Kontakt (TOPcon) Technologie bieten eine geringere LID/LeTID-Degradation und bessere Leistung bei schwachem Licht.
N-Typ-Module mit JinkoSolar's HOT 3.0 Technologie bieten bessere Zuverlässigkeit und Effizienz.
Hohe Salznebel- und Ammoniakbeständigkeit.
Zertifiziert für: 5400 Pa maximale statische Prüflast auf der Vorderseite, 2400 Pa maximale statische Prüflast auf der Rückseite.
Bessere Lichtfang- und Stromsammlungseigenschaften zur Verbesserung der Modulleistung und -zuverlässigkeit.
Minimiert die Wahrscheinlichkeit von Degradation durch PID-Erscheinungen durch Optimierung der Zellproduktionstechnologie und Materialkontrolle.
Mechanische Eigenschaften
Verpackungskonfiguration
Spezifikationen (STC)
Anwendungsbedingungen
Konstruktionszeichnungen
*Hinweis: Für spezifische Abmessungen und Toleranzbereiche bitte die entsprechenden detaillierten Modulzeichnungen konsultieren.
Elektrische Leistung
Was ist TOPCon-Technologie?
TOPCon-Technologie (Tunnel-Oxid-Passivierungs-Kontakt) ist eine fortschrittliche Photovoltaikzellentechnologie, die verwendet wird, um die Effizienz von Solarzellen beim Umwandeln von Sonnenlicht in Elektrizität zu verbessern. Der Kern der TOPCon-Technologie besteht in der Einführung einer Tunnel-Oxidschicht und einer dotierten Polysiliziumschicht auf der Rückseite der Zelle, was eine passivierte Kontaktaufbau bildet. Diese Struktur reduziert die Oberflächenrekombination und die Metallkontaktrekombination, wodurch die Leistung der Zelle verbessert wird.
Tunnel-Oxidschicht: Eine extrem dünne Tunnel-Oxidschicht wird auf der Rückseite der Zelle hergestellt. Diese Schicht ist dünn genug, um Elektronen hindurchtunneln zu lassen, aber dick genug, um Oberflächenrekombinationsverluste zu reduzieren.
Dotierte Polysiliziumschicht: Eine Schicht dotierten Polysiliziums wird auf die Tunnel-Oxidschicht aufgebracht. Diese Schicht kann entweder N-dotiert oder P-dotiert sein und wird verwendet, um Ladungsträger zu sammeln.
Passivierter Kontakt: Die passivierte Kontaktaufbau, gebildet durch die Tunnel-Oxidschicht und die dotierte Polysiliziumschicht, reduziert effektiv die Oberflächenrekombination und die Metallkontaktrekombination, wodurch die Leerlaufspannung und Kurzschlussstrom der Zelle erhöht werden.
