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580-605 वाट सिंगल-फेस मॉड्यूल टनल ऑक्साइड पासीवेटिंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक से

  • 580-605 Watt mono-facial module with Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technology
  • 580-605 Watt mono-facial module with Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technology
  • 580-605 Watt mono-facial module with Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) technology

महत्वपूर्ण विशेषताएं

ब्रांड Wone
मॉडल नंबर 580-605 वाट सिंगल-फेस मॉड्यूल टनल ऑक्साइड पासीवेटिंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक से
अधिकतम शक्ति 605Wp
श्रृंखला 72HL4-(V)

सप्लायर द्वारा प्रदान की गई उत्पाद विवरण

विवरण

प्रमाणित

  • IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

  •  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

  • ISO9001:2015: गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली ·

  • ISO14001:2015: पर्यावरण प्रबंधन प्रणाली ·

  •  ISO45001:2018: कार्यस्थल स्वास्थ्य और सुरक्षा प्रबंधन प्रणाली।

विशेषताएँ

  • टनल ऑक्साइड पैसिफाइंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक के साथ N-टाइप मॉड्यूल्स निम्न LID/LeTID अवक्रमण और बेहतर कम प्रकाश प्रदर्शन प्रदान करते हैं।

  • जिंकोसोलर की HOT 3.0 तकनीक के साथ N-टाइप मॉड्यूल्स बेहतर विश्वसनीयता और दक्षता प्रदान करते हैं।

  • उच्च नमकीन धुएं और अमोनिया का प्रतिरोध।

  • प्रमाणित: 5400 Pa सामने की ओर अधिकतम स्थैतिक परीक्षण भार 2400 Pa पीछे की ओर अधिकतम स्थैतिक परीक्षण भार।

  • बेहतर प्रकाश फँसना और विद्युत आरोप संग्रहण मॉड्यूल की शक्ति उत्पादन और विश्वसनीयता में सुधार करने के लिए।

  • सेल उत्पादन तकनीक और सामग्री नियंत्रण के अनुकूलन द्वारा PID घटना के कारण होने वाले अवक्रमण की संभावना को कम करता है।


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मैकेनिकल विशेषताएँ

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पैकेजिंग विन्यास

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विशेषताएँ (STC)

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अनुप्रयोग की शर्तें

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इंजीनियरिंग ड्राइंग्स

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*नोट: विशिष्ट आयाम और सहनशीलता सीमाओं के लिए, कृपया संबंधित विस्तृत मॉड्यूल ड्राइंग्स को देखें।

विद्युतीय प्रदर्शन 


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TOPCon तकनीक क्या है?

TOPCon तकनीक (टनल ऑक्साइड पैसिफाइड कंटैक्ट) सौर कोशिकाओं में प्रकाश को विद्युत में परिवर्तित करने की दक्षता में सुधार करने के लिए एक उन्नत फोटोवोल्टाइक कोशिका तकनीक है। TOPCon तकनीक का मूल सिद्धांत कोशिका के पीछे की ओर एक टनलिंग ऑक्साइड परत और एक डोप्ड पोलिसिलिकन परत को शामिल करना है, जो एक पैसिफाइड कंटैक्ट संरचना बनाता है। यह संरचना सतह पुनर्संयोजन और धातु कंटैक्ट पुनर्संयोजन को कम करती है, जिससे कोशिका का प्रदर्शन सुधार होता है।

  • टनलिंग ऑक्साइड परत: कोशिका के पीछे की ओर एक अत्यधिक पतली टनलिंग ऑक्साइड परत बनाई जाती है। यह परत इतनी पतली होती है कि इलेक्ट्रॉन इसके माध्यम से टनलिंग कर सकते हैं, लेकिन सतह पुनर्संयोजन नुकसान को कम करने के लिए इतनी मोटी होती है।

  • डोप्ड पोलिसिलिकन परत: टनलिंग ऑक्साइड परत पर एक डोप्ड पोलिसिलिकन परत जमा की जाती है। यह परत या तो N-टाइप या P-टाइप डोप्ड हो सकती है और चार्ज कैरियर संग्रह के लिए उपयोग की जाती है।

  • पैसिफाइड कंटैक्ट: टनलिंग ऑक्साइड परत और डोप्ड पोलिसिलिकन परत द्वारा बनाई गई पैसिफाइड कंटैक्ट संरचना सतह पुनर्संयोजन और धातु कंटैक्ट पुनर्संयोजन को कम करती है, जिससे कोशिका का ओपन-सर्किट वोल्टेज और शॉर्ट-सर्किट करंट बढ़ता है।




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कंपनी का अवलोकन
कार्यस्थल: 65666m²m² कुल कर्मचारी: 300+ वार्षिक निर्यात का उच्चतम मूल्य (डॉलर): 50000000
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सेवाएं
व्यवसाय प्रकार: डिज़ाइन/निर्माण/बिक्री
मुख्य श्रेणियाँ: वायर और केबल/नवीन ऊर्जा/परीक्षण उपकरण/उच्च वोल्टता उपकरण/भवन विद्युत संपूर्ण विद्युत सेटअप/निम्न वोल्टेज उपकरण/इंस्ट्रूमेंटेशन और मीटरिंग/उत्पादन संसाधन/विद्युत उत्पादन संसाधन/विद्युत उपकरण
जीवन भर का गारंटी प्रबंधक
उपकरण खरीद, उपयोग, रखरखाव और बिक्री के बाद के लिए पूर्ण-जीवन देखभाल प्रबंधन सेवाएं, विद्युत उपकरणों के सुरक्षित संचालन, निरंतर नियंत्रण और चिंतामुक्त बिजली उपयोग सुनिश्चित करना।
उपकरण आपूर्तिकर्ता ने प्लेटफॉर्म योग्यता प्रमाणन और तकनीकी मूल्यांकन पारित कर लिया है, जो स्रोत से अनुपालन, व्यावसायिकता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।

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