580-605 Watt Einfachseitiges Modul mit Tunneloxid-Passivierungs-Kontakten (TOPcon) Technologie

Zertifizierungen

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Qualitätsmanagementsystem ·

• ISO14001:2015: Umweltmanagementsystem ·

•  ISO45001:2018: Arbeitsschutzmanagementsystem.

Merkmale

• N-Typ-Module mit Tunnel-Oxid-Passivierungs-Kontakt (TOPcon) Technologie bieten eine geringere LID/LeTID-Degradation und bessere Leistung bei schwachem Licht.

• N-Typ-Module mit JinkoSolar's HOT 3.0 Technologie bieten bessere Zuverlässigkeit und Effizienz.

• Hohe Salznebel- und Ammoniakbeständigkeit.

• Zertifiziert für: 5400 Pa maximale statische Prüflast auf der Vorderseite, 2400 Pa maximale statische Prüflast auf der Rückseite.

• Bessere Lichtfang- und Stromsammlungseigenschaften zur Verbesserung der Modulleistung und -zuverlässigkeit.

• Minimiert die Wahrscheinlichkeit von Degradation durch PID-Erscheinungen durch Optimierung der Zellproduktionstechnologie und Materialkontrolle.

Mechanische Eigenschaften

Verpackungskonfiguration

Spezifikationen (STC)

Anwendungsbedingungen

Konstruktionszeichnungen

*Hinweis: Für spezifische Abmessungen und Toleranzbereiche bitte die entsprechenden detaillierten Modulzeichnungen konsultieren.

Elektrische Leistung 

Was ist TOPCon-Technologie?

TOPCon-Technologie (Tunnel-Oxid-Passivierungs-Kontakt) ist eine fortschrittliche Photovoltaikzellentechnologie, die verwendet wird, um die Effizienz von Solarzellen beim Umwandeln von Sonnenlicht in Elektrizität zu verbessern. Der Kern der TOPCon-Technologie besteht in der Einführung einer Tunnel-Oxidschicht und einer dotierten Polysiliziumschicht auf der Rückseite der Zelle, was eine passivierte Kontaktaufbau bildet. Diese Struktur reduziert die Oberflächenrekombination und die Metallkontaktrekombination, wodurch die Leistung der Zelle verbessert wird.

• Tunnel-Oxidschicht: Eine extrem dünne Tunnel-Oxidschicht wird auf der Rückseite der Zelle hergestellt. Diese Schicht ist dünn genug, um Elektronen hindurchtunneln zu lassen, aber dick genug, um Oberflächenrekombinationsverluste zu reduzieren.

• Dotierte Polysiliziumschicht: Eine Schicht dotierten Polysiliziums wird auf die Tunnel-Oxidschicht aufgebracht. Diese Schicht kann entweder N-dotiert oder P-dotiert sein und wird verwendet, um Ladungsträger zu sammeln.

• Passivierter Kontakt: Die passivierte Kontaktaufbau, gebildet durch die Tunnel-Oxidschicht und die dotierte Polysiliziumschicht, reduziert effektiv die Oberflächenrekombination und die Metallkontaktrekombination, wodurch die Leerlaufspannung und Kurzschlussstrom der Zelle erhöht werden.