Модуль з одностороннім прийняттям 580-605 Вт з технологією Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Сертифікація

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Система управління якістю ·

• ISO14001:2015: Система управління навколишнім середовищем ·

•  ISO45001:2018: Система управління охороною праці та безпекою.

Особливості

• Модулі типу N з технологією Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) надають нижчу рівень виродження LID/LeTID та кращу продуктивність при слабкому освітленні.

• Модулі типу N з технологією JinkoSolar's HOT 3.0 надають кращу надійність та ефективність.

• Висока стійкість до солоного пару та аміаку.

• Сертифіковані на витриваність: максимальна статична навантаження передньої сторони 5400 Па, максимальна статична навантаження задньої сторони 2400 Па.

• Краще захоплення світла та збор струму для підвищення продуктивності модуля та надійності.

• Зменшення шансів на виродження, спричинене явищем PID, завдяки оптимізації технології виробництва клітинок та контролю матеріалів.

Механічні характеристики

Конфігурація упаковки

Технічні характеристики (STC)

Умови застосування

Інженерні чертежі

*Примітка: Для конкретних розмірів та діапазонів допусків, будь ласка, зверніться до відповідних детальних чертежів модуля.

Електрична продуктивність 

Що таке технологія TOPCon?

Технологія TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) - це передова технологія фотovoltaic клітин, що використовується для підвищення ефективності сонячних клітин у перетворенні сонячного світла на електроенергію. Суть технології TOPCon полягає у введення тунельного оксидного шару та дотованого полікристалічного шару на задній стороні клітини, що формує структуру пасивованого контакту. Ця структура зменшує поверхневу рекомбінацію та металевий контактний рекомбінацію, що покращує продуктивність клітини.

• Тунельний оксидний шар: На задню сторону клітини наноситься надтонкий тунельний оксидний шар. Цей шар достатньо тонкий, щоб дозволити електронам проходити через нього, але достатньо густий, щоб зменшити втрати від поверхневої рекомбінації.

• Дотований полікристалічний шар: На тунельний оксидний шар наноситься шар дотованого полікристалічного кремнію. Цей шар може бути дотований N-типом або P-типом і використовується для збирання зарядових носіїв.

• Пасивований контакт: Структура пасивованого контакту, сформована тунельним оксидним шаром та дотованим полікристалічним шаром, ефективно зменшує поверхневу рекомбінацію та металевий контактний рекомбінацію, що збільшує відкрите напругу та короткозамкнутий струм клітини.