580-605 Watt mono-facial module ngadto sa teknolohiya sa Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Sertipiko

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Sistema sa Pamamahala ng Kalidad ·

• ISO14001:2015: Sistema sa Pamamahala ng Kapaligiran ·

•  ISO45001:2018: Sistema sa Pamamahala ng Kalusugan at Seguridad sa Trabaho.

Katangian

• Ang mga modulyo na N-type na may teknolohiya ng Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) ay nagbibigay ng mas mababang LID/LeTID degradation at mas mahusay na performance sa mababang liwanag.

• Ang mga modulyo na N-type na may teknolohiya ng JinkoSolar's HOT 3.0 ay nagbibigay ng mas mahusay na reliabilidad at efisyensiya.

• Matatag laban sa mataas na asin at ammonia.

• Certified upang matiis ang: 5400 Pa front side max static test load 2400 Pa rear side max static test load.

• Mas mahusay na pag-trap ng liwanag at pag-collect ng current upang mapataas ang output power at reliabilidad ng modulyo.

• Minimize ang posibilidad ng degradation dahil sa PID phenomena sa pamamagitan ng pag-optimize ng teknolohiya ng produksyon ng cell at kontrol ng materyales.

Mekanikal na Katangian

Paghahanda ng Pakete

Espesipikasyon (STC)

Kundisyon sa Paggamit

Engineering Drawings

*Note: Para sa espesipikong dimensyon at tolerance ranges, mangyaring tingnan ang kaukulang detalyadong disenyo ng modulyo.

Electrical Performance 

Ano ang TOPCon technology?

Ang TOPCon technology (Tunnel Oxide Passivated Contact) ay isang advanced na teknolohiya ng photovoltaic cell na ginagamit upang mapataas ang efisyensiya ng solar cells sa pag-convert ng liwanag ng araw sa kuryente. Ang esensiya ng TOPCon technology ay ang pag-introduce ng tunneling oxide layer at doped polysilicon layer sa back side ng cell, na bumubuo ng passivated contact structure. Ang strukturang ito ay nagbabawas ng surface recombination at metal contact recombination, kaya't nagsisiguro ng mas mahusay na performance ng cell.

• Tunnel Oxide Layer: Isang ultra-thin na tunneling oxide layer ang inililikha sa back side ng cell. Ang layer na ito ay sapat na thin upang payagan ang electrons na lumipad pero sapat na thick upang bawasan ang surface recombination losses.

• Doped Polysilicon Layer: Isang layer ng doped polysilicon ang inilalapat sa itaas ng tunneling oxide layer. Ang layer na ito maaaring maging N-type o P-type doped at ginagamit para mag-collect ng charge carriers.

• Passivated Contact: Ang passivated contact structure, na nabuo ng tunneling oxide layer at doped polysilicon layer, ay epektibong nagbabawas ng surface recombination at metal contact recombination, kaya't nagsisiguro ng mas mataas na open-circuit voltage at short-circuit current ng cell.