580-605 वाट सिंगल-फेस मॉड्यूल टनल ऑक्साइड पासीवेटिंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक से
महत्वपूर्ण विशेषताएं
| ब्रांड | Wone |
| मॉडल नंबर | 580-605 वाट सिंगल-फेस मॉड्यूल टनल ऑक्साइड पासीवेटिंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक से |
| अधिकतम शक्ति | 605Wp |
| श्रृंखला | 72HL4-(V) |
सप्लायर द्वारा प्रदान की गई उत्पाद विवरण
प्रमाणित
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली ·
ISO14001:2015: पर्यावरण प्रबंधन प्रणाली ·
ISO45001:2018: कार्यस्थल स्वास्थ्य और सुरक्षा प्रबंधन प्रणाली।
विशेषताएँ
टनल ऑक्साइड पैसिफाइंग कंटैक्ट (TOPcon) तकनीक के साथ N-टाइप मॉड्यूल्स निम्न LID/LeTID अवक्रमण और बेहतर कम प्रकाश प्रदर्शन प्रदान करते हैं।
जिंकोसोलर की HOT 3.0 तकनीक के साथ N-टाइप मॉड्यूल्स बेहतर विश्वसनीयता और दक्षता प्रदान करते हैं।
उच्च नमकीन धुएं और अमोनिया का प्रतिरोध।
प्रमाणित: 5400 Pa सामने की ओर अधिकतम स्थैतिक परीक्षण भार 2400 Pa पीछे की ओर अधिकतम स्थैतिक परीक्षण भार।
बेहतर प्रकाश फँसना और विद्युत आरोप संग्रहण मॉड्यूल की शक्ति उत्पादन और विश्वसनीयता में सुधार करने के लिए।
सेल उत्पादन तकनीक और सामग्री नियंत्रण के अनुकूलन द्वारा PID घटना के कारण होने वाले अवक्रमण की संभावना को कम करता है।
मैकेनिकल विशेषताएँ
पैकेजिंग विन्यास
विशेषताएँ (STC)
अनुप्रयोग की शर्तें
इंजीनियरिंग ड्राइंग्स
*नोट: विशिष्ट आयाम और सहनशीलता सीमाओं के लिए, कृपया संबंधित विस्तृत मॉड्यूल ड्राइंग्स को देखें।
विद्युतीय प्रदर्शन
TOPCon तकनीक क्या है?
TOPCon तकनीक (टनल ऑक्साइड पैसिफाइड कंटैक्ट) सौर कोशिकाओं में प्रकाश को विद्युत में परिवर्तित करने की दक्षता में सुधार करने के लिए एक उन्नत फोटोवोल्टाइक कोशिका तकनीक है। TOPCon तकनीक का मूल सिद्धांत कोशिका के पीछे की ओर एक टनलिंग ऑक्साइड परत और एक डोप्ड पोलिसिलिकन परत को शामिल करना है, जो एक पैसिफाइड कंटैक्ट संरचना बनाता है। यह संरचना सतह पुनर्संयोजन और धातु कंटैक्ट पुनर्संयोजन को कम करती है, जिससे कोशिका का प्रदर्शन सुधार होता है।
टनलिंग ऑक्साइड परत: कोशिका के पीछे की ओर एक अत्यधिक पतली टनलिंग ऑक्साइड परत बनाई जाती है। यह परत इतनी पतली होती है कि इलेक्ट्रॉन इसके माध्यम से टनलिंग कर सकते हैं, लेकिन सतह पुनर्संयोजन नुकसान को कम करने के लिए इतनी मोटी होती है।
डोप्ड पोलिसिलिकन परत: टनलिंग ऑक्साइड परत पर एक डोप्ड पोलिसिलिकन परत जमा की जाती है। यह परत या तो N-टाइप या P-टाइप डोप्ड हो सकती है और चार्ज कैरियर संग्रह के लिए उपयोग की जाती है।
पैसिफाइड कंटैक्ट: टनलिंग ऑक्साइड परत और डोप्ड पोलिसिलिकन परत द्वारा बनाई गई पैसिफाइड कंटैक्ट संरचना सतह पुनर्संयोजन और धातु कंटैक्ट पुनर्संयोजन को कम करती है, जिससे कोशिका का ओपन-सर्किट वोल्टेज और शॉर्ट-सर्किट करंट बढ़ता है।
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