Modulus monofacialis 580-605 Watt cum technologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Certificatio

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Systema de Gestionem Qualitatis ·

• ISO14001:2015: Systema de Gestionem Ambientale ·

•  ISO45001:2018: Systema de Gestionem Salutis et Securitatis in Operibus.

Characteristicae

• Moduli N-typi cum technologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) offerunt minorem degradationem LID/LeTID et meliorem praestantiam in luce tenui.

• Moduli N-typi cum technologia JinkoSolar's HOT 3.0 offerunt meliorem fidentiam et efficientiam.

• Alta resistentia ad salinam nebulam et ammoniacum.

• Certificati ut sustineant: 5400 Pa maximam staticam testationem a fronte 2400 Pa maximam staticam testationem a dorso.

• Melior captio luminis et collectio currentis ad meliorem potentiam moduli et fidentiam.

• Minimizat possibilitatem degradationis causatae per PID per optimisationem technologiae productionis cellulae et controllem materialis.

Characteres Mechanici

Configuratio Packaging

Specificationes (STC)

Conditiones Applicationis

Delineamenta Ingeniaria

*Nota: Pro dimensionibus specificis et tolerantiarum range, vide delineamenta moduli detalia correspondentes.

Prestantia Electrica 

Quid est TOPCon technologia?

TOPCon technologia (Tunnel Oxide Passivated Contact) est technologia photovoltaica cellulae ad augmentandam efficientiam cellulae solaris in conversione luminis solaris in electricitatem. Essentia TOPCon technologiae est introductio strati tunneling oxidi et strati polycrystalli dopati in parte posteriori cellulae, quae formant structuram contactus passivati. Haec structura reducit recombinationem superficiei et recombinationem contactus metallici, ita perficientiam cellulae meliorans.

• Stratum Tunnel Oxide: Stratum tunneling oxidi ultra tenue fabricatur in parte posteriori cellulae. Hoc stratum est satis tenuis ut electroni possint transire per foramen, sed satis crassum ut recombinationem superficiei reducat.

• Stratum Polycrystalli Dopati: Stratum polycrystalli dopati depositatur super stratum tunneling oxidi. Hoc stratum potest esse N-typum vel P-typum dopatum et usatur ad colligendos portatores caricae.

• Contactus Passivatus: Structura contactus passivati, formata per stratum tunneling oxidi et stratum polycrystalli dopati, efficaciter reducit recombinationem superficiei et recombinationem contactus metallici, ita augmentans tensionem circuiti aperti et currentem circuiti brevis cellulae.