| Marca | Wone |
| Numero modello | Modulo mono-facciale da 580-605 Watt con tecnologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) |
| Potenza massima | 605Wp |
| Serie | 72HL4-(V) |
Certificazione
IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·
IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 ·
ISO9001:2015: Sistema di gestione della qualità ·
ISO14001:2015: Sistema di gestione ambientale ·
ISO45001:2018: Sistemi di gestione per la salute e la sicurezza sul lavoro.
Caratteristiche
I moduli N con tecnologia Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) offrono una degradazione LID/LeTID inferiore e un'ottima performance in bassa luce.
I moduli N con la tecnologia HOT 3.0 di JinkoSolar offrono maggiore affidabilità ed efficienza.
Elevata resistenza al salmastro e all'ammoniaca.
Certificati per sopportare: carico statico massimo frontale di 5400 Pa, carico statico massimo posteriore di 2400 Pa.
Migliore trappolaggio della luce e raccolta di corrente per migliorare la potenza e l'affidabilità del modulo.
Minimizza la possibilità di degradazione causata dai fenomeni PID attraverso l'ottimizzazione della tecnologia di produzione delle celle e il controllo dei materiali.
Caratteristiche meccaniche
Configurazione dell'imballaggio
Specifiche (STC)
Condizioni di applicazione
Disegni ingegneristici
*Nota: Per le dimensioni specifiche e i range di tolleranza, si prega di fare riferimento ai disegni dettagliati dei moduli corrispondenti.
Prestazioni elettriche
Cos'è la tecnologia TOPCon?
La tecnologia TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) è una tecnologia avanzata di celle fotovoltaiche utilizzata per migliorare l'efficienza delle celle solari nella conversione della luce solare in elettricità. L'essenza della tecnologia TOPCon è l'introduzione di un strato di ossido tunnel e uno strato di polisilicio dopato sul retro della cella, che forma una struttura di contatto passivato. Questa struttura riduce la ricombinazione superficiale e la ricombinazione dei contatti metallici, migliorando così le prestazioni della cella.
Strato di ossido tunnel: Un sottilissimo strato di ossido tunnel viene realizzato sul retro della cella. Questo strato è abbastanza sottile da permettere agli elettroni di attraversarlo, ma abbastanza spesso da ridurre le perdite di ricombinazione superficiale.
Strato di polisilicio dopato: Uno strato di polisilicio dopato viene depositato sopra lo strato di ossido tunnel. Questo strato può essere dopato N o P e viene utilizzato per raccogliere i portatori di carica.
Contatto passivato: La struttura di contatto passivato, formata dallo strato di ossido tunnel e dallo strato di polisilicio dopato, riduce efficacemente la ricombinazione superficiale e la ricombinazione dei contatti metallici, aumentando così la tensione aperta e la corrente cortocircuito della cella.
