Mô-đun một mặt 580-605 Watt với công nghệ Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Chứng nhận

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Hệ thống quản lý chất lượng ·

• ISO14001:2015: Hệ thống quản lý môi trường ·

•  ISO45001:2018: Hệ thống quản lý an toàn và sức khỏe nghề nghiệp.

Tính năng

• Mô-đun loại N với công nghệ Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) cung cấp sự suy giảm LID/LeTID thấp hơn và hiệu suất tốt hơn trong điều kiện ánh sáng yếu.

• Mô-đun loại N với công nghệ HOT 3.0 của JinkoSolar cung cấp độ tin cậy và hiệu suất tốt hơn.

• Kháng muối và amoniac cao.

• Được chứng nhận chịu được: tải tĩnh tối đa 5400 Pa ở mặt trước, tải tĩnh tối đa 2400 Pa ở mặt sau.

• Bẫy ánh sáng và thu thập dòng điện tốt hơn để cải thiện công suất đầu ra và độ tin cậy của mô-đun.

• Giảm thiểu khả năng suy giảm do hiện tượng PID thông qua việc tối ưu hóa công nghệ sản xuất tế bào và kiểm soát vật liệu.

Đặc tính cơ học

Cấu hình đóng gói

Thông số kỹ thuật (STC)

Điều kiện sử dụng

Bản vẽ kỹ thuật

*Lưu ý: Đối với kích thước cụ thể và phạm vi dung sai, xin vui lòng tham khảo bản vẽ mô-đun chi tiết tương ứng.

Hiệu suất điện 

Công nghệ TOPCon là gì?

Công nghệ TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) là một công nghệ tế bào quang điện tiên tiến được sử dụng để tăng cường hiệu quả chuyển đổi ánh sáng thành điện của các tế bào mặt trời. Tinh túy của công nghệ TOPCon là sự giới thiệu của một lớp oxide hầm và một lớp polysilicon doped trên mặt sau của tế bào, tạo nên cấu trúc tiếp xúc passivated. Cấu trúc này giảm thiểu tái hợp bề mặt và tái hợp tiếp xúc kim loại, từ đó cải thiện hiệu suất của tế bào.

• Lớp oxide hầm: Một lớp oxide hầm siêu mỏng được chế tạo trên mặt sau của tế bào. Lớp này đủ mỏng để cho phép electron đi xuyên qua nhưng đủ dày để giảm thiểu mất mát do tái hợp bề mặt.

• Lớp polysilicon doped: Một lớp polysilicon doped được phủ lên trên lớp oxide hầm. Lớp này có thể được doped loại N hoặc P và được sử dụng để thu thập các hạt mang điện.

• Tiếp xúc passivated: Cấu trúc tiếp xúc passivated, được tạo bởi lớp oxide hầm và lớp polysilicon doped, giảm thiểu tái hợp bề mặt và tái hợp tiếp xúc kim loại, từ đó tăng áp điện mở mạch và dòng điện ngắn mạch của tế bào.