Módulo monofacial de 580-605 vatios con tecnoloxía Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Certificación

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Sistema de xestión da calidade ·

• ISO14001:2015: Sistema de xestión ambiental ·

•  ISO45001:2018: Sistemas de xestión da seguridade e saúde no traballo.

Características

• Os módulos tipo N con tecnoloxía Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) ofreces un menor degradación LID/LeTID e un mellor rendemento en condicións de pouca luz.

• Os módulos tipo N coa tecnoloxía HOT 3.0 de JinkoSolar ofreces unha maior fiabilidade e eficiencia.

• Alta resistencia ao salitre e ao amoníaco.

• Certificado para soportar: 5400 Pa de carga estática máxima na cara frontal, 2400 Pa de carga estática máxima na cara traseira.

• Melhor captura de luz e recolección de corrente para mellorar o rendemento do módulo e a súa fiabilidade.

• Minimiza a posibilidade de degradación causada polo fenómeno PID mediante a optimización da tecnoloxía de produción das células e o control dos materiais.

Características mecánicas

Configuración de empaquetado

Especificacións (STC)

Condicións de aplicación

Deseños de enxeñaría

*Nota: Para dimensións específicas e rangos de tolerancia, por favor, consulte os correspondentes desenhos detallados do módulo.

Rendemento eléctrico 

Qué é a tecnoloxía TOPCon?

A tecnoloxía TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) é unha tecnoloxía avanzada de células fotovoltaicas usada para aumentar a eficiencia das células solares na conversión da luz solar en electricidade. A esencia da tecnoloxía TOPCon é a introdución dunha capa de óxido de túnel e unha capa de polisilicio dopado na parte traseira da célula, que forma unha estrutura de contacto passivado. Esta estrutura reduce a recombinación superficial e a recombinación de contacto metálico, mellorando así o rendemento da célula.

• Capa de óxido de túnel: Fabrica-se unha capa ultrafina de óxido de túnel na parte traseira da célula. Esta capa é suficientemente fina para permitir que os electróns atravesen pero suficientemente espessa para reducir as perdas de recombinación superficial.

• Capa de polisilicio dopado: Deposítase unha capa de polisilicio dopado sobre a capa de óxido de túnel. Esta capa pode ser dopada de tipo N ou P e úsase para recoller os portadores de carga.

• Contacto passivado: A estrutura de contacto passivado, formada pola capa de óxido de túnel e a capa de polisilicio dopado, reduce eficazmente a recombinación superficial e a recombinación de contacto metálico, aumentando así a tensión en circuito aberto e a corrente en curto-circuíto da célula.