Μονόπλευρη μονάδα 580-605 Βατ με τεχνολογία Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon)

Πιστοποίηση

• IEC61215:2021 / IEC61730:2023 ·

•  IEC61701 / IEC62716 / IEC60068 / IEC62804 · 

• ISO9001:2015: Σύστημα Διαχείρισης Ποιότητας ·

• ISO14001:2015: Σύστημα Διαχείρισης Περιβάλλοντος ·

•  ISO45001:2018: Σύστημα Διαχείρισης Υγείας και Ασφάλειας στην Εργασία.

Χαρακτηριστικά

• Τα μέτρα N-τύπου με τεχνολογία Tunnel Oxide Passivating Contacts (TOPcon) προσφέρουν μικρότερη κατάρρευση LID/LeTID και καλύτερη απόδοση σε χαμηλή φωτεινότητα.

• Τα μέτρα N-τύπου με την τεχνολογία HOT 3.0 της JinkoSolar προσφέρουν καλύτερη αξιοπιστία και απόδοση.

• Υψηλή αντοχή σε αλάτι και αμμωνία.

• Πιστοποιημένα για αντοχή: 5400 Pa μέγιστη στατική φορτίαση μπροστά 2400 Pa μέγιστη στατική φορτίαση πίσω.

• Καλύτερη δέσμευση φωτός και συλλογή ρεύματος για βελτίωση της εξόδου ενέργειας και της αξιοπιστίας του μέτρου.

• Μειώνει την πιθανότητα κατάρρευσης λόγω των φαινομένων PID μέσω της βελτιστοποίησης της τεχνολογίας παραγωγής κυματοδότων και της ελέγχου υλικών.

Μηχανικά Χαρακτηριστικά

Ρυθμίσεις Συσκευασίας

Προδιαγραφές (STC)

Όροι Εφαρμογής

Τεχνικά Σχέδια

*Σημείωση: Για συγκεκριμένες διαστάσεις και εύρη τολεραντιάς, παρακαλείστε να αναφερθείτε στα αντίστοιχα λεπτομερή σχέδια μέτρου.

Ηλεκτρική Απόδοση 

Τι είναι η τεχνολογία TOPCon;

Η τεχνολογία TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contact) είναι μια προηγμένη τεχνολογία φωτοβολταϊκών κυματοδότων που χρησιμοποιείται για τη βελτίωση της απόδοσης των φωτοβολταϊκών κυματοδότων στη μετατροπή του φωτός σε ηλεκτρική ενέργεια. Η ουσία της τεχνολογίας TOPCon είναι η εισαγωγή μιας στρώσης tunneling oxide και μιας στρώσης doped polysilicon στην πίσω πλευρά του κυματοδότη, η οποία σχηματίζει μια δομή passivated contact. Αυτή η δομή μειώνει την επιφανειακή ανασύνθεση και την ανασύνθεση των μεταλλικών επαφών, βελτιώνοντας έτσι την απόδοση του κυματοδότη.

• Στρώση Tunnel Oxide: Μια εξαιρετικά λεπτή στρώση tunneling oxide φτιάχνεται στην πίσω πλευρά του κυματοδότη. Αυτή η στρώση είναι αρκετά λεπτή για να επιτρέψει την περάτρηση των ηλεκτρονίων, αλλά αρκετά παχύτερη για να μειώσει τις απώλειες από επιφανειακή ανασύνθεση.

• Στρώση Doped Polysilicon: Μια στρώση doped polysilicon επιβλητείται πάνω στη στρώση tunneling oxide. Αυτή η στρώση μπορεί να είναι είτε N-τύπου είτε P-τύπου και χρησιμοποιείται για τη συλλογή φορέων φορτίου.

• Passivated Contact: Η δομή passivated contact, σχηματισμένη από τη στρώση tunneling oxide και τη στρώση doped polysilicon, μειώνει αποτελεσματικά την επιφανειακή ανασύνθεση και την ανασύνθεση των μεταλλικών επαφών, αυξάνοντας έτσι την άνοιγτη συνεχόμενη τάση και τη συνεχόμενη τάση σύνδεσης του κυματοδότη.