Teknik Pembuatan Transistor

Definisi Transistor

Transistor adalah peranti semikonduktor yang digunakan untuk memperbesar atau menghidupkan/mematikan isyarat elektronik dan kuasa elektrik.

Teknik Difusi

Kaedah ini mencipta transistor planar pada wafer yang hampir rata. Wafer tipe-N dipanaskan dalam tungku dengan gas impuriti tipe-P, menyebabkan kawasan tipe-P (base) terbentuk pada wafer. Mask dengan lubang digunakan, dan wafer dipanaskan lagi dengan impuriti tipe-N. Ini menciptakan kawasan tipe-N (emitter) di atas lapisan tipe-P.

Akhirnya, lapisan tipis dioksida silikon dibentuk di seluruh permukaan dan difoto untuk membuat kontak aluminium bagi pin base dan emitter.

Teknik Kontak Titik

Teknik ini menggunakan wafer semikonduktor tipe-N, yang disolder ke dasar logam. Kawat pegas tungsten (Cat’s whisker wire) ditekan kepadanya, dan seluruh susunan itu ditutupi dengan kaca atau seramik untuk kekuatan. Arus besar dilewatkan sebentar untuk menciptakan persimpangan PN di titik kontak, menjadikan transistor ini berguna untuk frekuensi tinggi berkat kapasitansi rendahnya.

Teknik Fused atau Alloy

Dalam kaedah ini, dua titik kecil indium atau aluminium (acceptor) ditempatkan di sisi yang bertentangan pada wafer tipe-N. Kemudian, seluruh sistem dipanaskan hingga suhu yang kurang dari titik lebur bahan wafer tetapi lebih dari acceptor.

Sebahagian kecil indium larut dan masuk ke dalam wafer, dan dengan demikian bahan tipe-P diciptakan di kedua sisi wafer. Transistor PNP diciptakan apabila didinginkan (gambar 4).

Teknik Rate-Grown atau Grown

Kaedah ini menggunakan teknik Czochralski untuk menarik kristal tunggal dari cairan Ge atau Si dengan impuriti tipe-P. Benih semikonduktor dicelupkan ke dalam semikonduktor cair dalam crucible grafit. Rod yang memegang benih tersebut diputar perlahan dan ditarik keluar, pertama menambah impuriti tipe-P, kemudian tipe-N, untuk membentuk persimpangan PN.

Teknik Epitaksial

Kaedah ini mendapat namanya dari kata-kata Yunani yang bermaksud “pada” dan “susunan.” Lapisan semikonduktor tipe-N atau tipe-P yang tipis tumbuh pada substrat yang sangat doped dengan bahan semikonduktor yang sama. Lapisan yang terbentuk boleh menjadi base, emitter, atau collector, dan persimpangan yang diciptakan memiliki rintangan rendah.