Транзисторларды өндіру технологиялары

Транзистордың анықтамасы

Транзистор - бұл электрондық сигналдар мен электр энергиясын көбейту немесе қозғау үшін пайдаланылатын полупроводников прибор.

Диффузиялық технология

Бұл әдіс терең табакада планарлық транзисторларды жасайды. N-тиіптеуі табака P-тиіптеуі газдық заттармен жылуленген печде қойылады, сонда табакада P-тиіптеуі аймақ (қатысушы) пайда болады. Табака түскенде маска және N-тиіптеуі заттармен қайта жылуленеді. Бұл P-тиіптеуі деңгейінің (электронды шығаратын бөлік) үстінде N-тиіптеуі аймақты (электронды орнататын бөлік) жасайды.

Соңында, барлық бетке жұмсақ силикон диоксид табакасы қалыптасып, фотостамп қолданылып, қатысушы және электронды шығаратын бөліктердің контакттары үшін алюминий контакттар жасалады.

Нүктесімен байланыстыру әдісі

Бұл әдіс N-тиіптеуі полупроводников табаканы металлдық негізге жапырақталтырады. Вольфрам спираль (кошының телі) табакаға басылып, барлық жүйе стек же керамикада қалыптасқан. Контакт нүктесінде PN желісін жасау үшін кезекті уақыт үшін үлкен ағым өткізіледі. Бұл транзисторлар аз еміндіктерінен үлкен дауыстар үшін қолданылады.

Қосылған немесе сплав әдісі

Бұл әдісте N-тиіптеуі табаканың эрекше жағында индий немесе алюминий (қабылдайтын) екі кішкентай нүктесі орналастырылады. Содан соң барлық жүйе табака материалының ауыздық нүктесінен төмен, бірақ қабылдайтын материалдың ауыздық нүктесінен жоғары температурға жылуленеді.

Индийнің кішкентай бөлігі табакаға қатысқан және табаканың екі жағында P-тиіптеуі материал қалыптасады. Ол жылысқанда (сурет 4) PNP транзистор қалыптасады.

Жылжыту немесе өсіру әдісі

Бұл әдіс Czochralski әдісін қолданып, Ge немесе Si-ден және P-тиіптеуі заттармен қалыптасқан топырақтан бір кристалды өсіреді. Полупроводников табиғатты бидай графит кратерде жылуленеді. Табиғатты сақтайтын балықты тартып, аралықша айналып, шығарылады, алдымен P-тиіптеуі, содан кейін N-тиіптеуі заттар қосылады, PN желісі өсіреді.

Эпитаксиялық әдіс

Бұл әдіс грек тілінен «үстінде» және «орналасу» деген сөздерден алынған. Жұмсақ N-тиіптеуі немесе P-тиіптеуі полупроводников табака қатысқыштық негізде жасалады. Пайда болған табака база, электронды шығаратын бөлік немесе электронды орнататын бөлік болуы мүмкін, және пайда болған желіде төмен еміндік болады.